AC710N硬件设计指南V1.2
AC710N硬件设计指南V1.2
珠海市杰理科技股份有限公司 Zhuhai Jieli Technology Co.,LTD
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目录
第 1章.概述................................................................................................................................................... 5
1.1.芯片简介................................................................................................................................................ 5
1.2.设计原则................................................................................................................................................ 6
1.2.1.产品设计原则:安全、稳定、可靠...........................................................................................6
1.2.2.硬件设计原则:便于量产、便于测试.......................................................................................6
第2章.原理设计........................................................................................................................................... 7
2.1.电源........................................................................................................................................................ 7
2. 1.1.充电管理(VPWR、VBAT) .....................................................................................................7
2. 1.2. VBAT ............................................................................................................................................. 8
2. 1.3. VMAX ............................................................................................................................................8
2. 1.4. DCDC/LDO ................................................................................................................................... 8
2. 1.5. IOVDD ........................................................................................................................................... 8
2. 1.6. SDPG ............................................................................................................................................. 8
2. 1.7. HPVDD .......................................................................................................................................... 8
2. 1.8. MIC_ LDO/MIC_ BIAS .................................................................................................................. 8
2. 1.9. VCM ...............................................................................................................................................9
2.2.晶振........................................................................................................................................................ 9
2.3.射频........................................................................................................................................................ 9
2.3.1. BT蓝牙..........................................................................................................................................9
2.4.音频AUDIO .......................................................................................................................................... 9
2.4.1. ANC(主动降噪) ....................................................................................................................... 9
2.4.2. ADC(MIC、 AUX) ................................................................................................................. 10
2.4.3. DAC ............................................................................................................................................. 10
2.4.4.数字MIC(PDM_ DMIC) ....................................................................................................... 11
2.4.5.数字IIS(ALNK) .................................................................................................................... 11
2.5. Peripherals ............................................................................................................................................ 11
2.5.1. ADC(SARADC) ..................................................................................................................... 11
2.5.2. LP_ T。uch(LPCTM) .............................................................................................................. 12
2.5.3. IIC ................................................................................................................................................ 12
2.5.4. SPI ................................................................................................................................................ 12
2.5.5. UART ........................................................................................................................................... 12
2.5.6. SD ................................................................................................................................................. 12
2.5.7. USB .............................................................................................................................................. 13
2.5.8. QDEC ........................................................................................................................................... 13
2.5.9. NTC .............................................................................................................................................. 13
2.5.10. Timer(TMR/CNT/CAP/PWM) ............................................................................................. 13
2.5.11. CLKOUT .................................................................................................................................... 13
2.5.12. MCPWM .................................................................................................................................... 14
2.5.13. PWM_ LED ................................................................................................................................ 14
2.6. GPIO ..................................................................................................................................................... 14
2.6.1. IO上下拉电阻、上电默认配置................................................................................................ 14
2.6.2. IO驱动电流、状态、 高压IO(HVT) ........................................................................................ 15
2.6.3.数字外设和IO重映射.............................................................................................................. 16
第3章.硬件设计......................................................................................................................................... 16
3.1.产品结构、板层设计.......................................................................................................................... 16
3.2.天线设计.............................................................................................................................................. 17
3.3.地场设计(关键项) .......................................................................................................................... 18
3.4.晶振设计.............................................................................................................................................. 19
3.5.电源设计.............................................................................................................................................. 20
3.5.1.供电场景及范围.........................................................................................................................20
3.5.2.芯片外围物料取值.....................................................................................................................20
3.5.3. DCDC设计(关键项) ..............................................................................................................21
3.6.音频ADC设计....................................................................................................................................23
3.6.1. MIC输入设计............................................................................................................................. 23
3.7.音频DAC设计....................................................................................................................................25
3.7.1. DAC驱动&HPVDD供电.......................................................................................................... 25
3.7.2. DAC输出设计............................................................................................................................ 25
3.8. LP_ TOUCH 内置触摸设计(LP_ CTMU) ...................................................................................... 27
3.9. NTC检测电路设计............................................................................................................................. 28
3.10.防静电设计........................................................................................................................................ 28
3.11.防浪涌设计........................................................................................................................................ 29
3.12. EMC/EMI 防护设计.......................................................................................................................... 30
第4章.开发、生产、量产说明.................................................................................................................30
4.1.烧写、升级、测试说明...................................................................................................................... 30
4.2.耳机生产装配说明.............................................................................................................................. 31
4.3. TWS生产配对说明.............................................................................................................................31
修改记录
本文档用于指导硬件设计,其中 “概述”描述芯片简介和相关设计原则, “原理设计”描述原理和相关接口信息, “硬件设计”描述设计细节和相关注意事项。 “开发、生产、量产说明”描述烧写升级和相关生产装配说明。
| 时间 | 版本 | 描述 |
|---|---|---|
| 2025/01/16 | V1 .0 | 初始版本 |
| 2025/04/16 | V1 . 1 | 功率电感改为 10uH(开关频率更低,有机会提升RF距离表现) |
| 2025/06/04 | V1 .2 | 1、 调整DAC功率档位电压(如30mW@16ohm,对应DCVDD>= 1.25V) 2、 新增MIC_LDO说明(固定和MIC_BIASA合绑) 3、 新增MIC&ANC说明(如新增ANC框架、MIC供电退耦电容说明等) 4、 新增NTC文字描述(如PC1作为NTC检测时,为特殊trim IO, 内部上拉指定200K时,可省外部 1%精度上拉电阻) |
第 1章. 概述
1.1.芯片简介
AC710N系列芯片是集成蓝牙模块的32 位SOC,主推高性能低功耗的蓝牙及音频应用,如TWS、 OWS、 立体声耳机(头戴式/中控类/插卡式)、无线话筒、领夹麦等,支持ANC功能。
芯片特色:
● 内置PMU管理单元,支持软关机、低功耗蓝牙连接和待机
● 内置充电管理单元,支持3 .7V锂电池充电,最大充电电流225mA
● 内置OCP管理单元,支持芯片VBAT供电过流保护
● 内置LDO3V常开输出电源IOVDD, 电压档位可调,最大可驱动 120mA外设负载
● 内置LDO3V可开关输出电源SDPG,专用于SD/TF卡,驱动电流30或300mA
● 内置FLASH代码存储单元,支持重复烧写升级
● 内置2路16/24位Audio ADC(集成前置信号放大单元),可选模拟MIC(或AUX)输入
● 内置2路16/24位Audio DAC(集成功率输出放大单元),支持单端/差分/VCMO输出
● 集成全硬件实现的 ANC模块,支持双混合馈自适应系数ANC
● 集成蓝牙基带、调制解调器及模拟RF模块,支持Bluetooth 6.0双模
● 集成时钟控制单元,支持外置晶振提供时钟源(典型外挂24MHz主系统晶振)
● 具备丰富的数字外设和IO重映射功能,除固定IO接口外,其余IO可依据芯片规格书灵活分配
● 所有GPIO可配置唤醒口(边沿触发),软关机唤醒时,除USBDM/DP/PP0外,IO状态可保持
● 所有GPIO可配置上下拉电阻,支持推挽输出和高阻态配置,支持多档电流驱动
● 支持 10-bit ADC模拟采样功能
● 支持DAC大功率输出(如20/30/50/80/100mW@16ohm),输出功率由HPVDD 电压决定
● 支持SD 数字接口以及 SDPG 供电接口,支持本地多媒体音乐播放
● 支持Full Speed USB代码升级及本地多媒体音乐播放
● 支持UART 串口打印、 串口升级代码等功能
● 支持LP_CTMU 低功耗高精度触摸检测功能
● 支持PWM_LED硬件单元,支持单IO推双灯等功能
● 支持IIC、 SPI、 Timer/PWM/CLKOUT、 QDEC、 MCPWM、 ALINK(IIS)、红外接收等功能
芯片框架:
AC710N芯片集成蓝牙模块、PMU 管理模块、 内存管理模块、AD/DA 低噪声音频模块、ANC 降噪模块,具备丰富的数字外设资源。
图 1-1 AC710N硬件框架
1.2.设计原则
1.2.1. 产品设计原则:安全、稳定、可靠
1、 产品必须满足静电标准:接触放电大于±4KV,空气放电大于±8KV,设计留有余量。
2、 产品必须满足抗浪涌:一般大于±48V(标准必须根据产品应用场景调整),设计留有余量。
3、 产品必须做好电源保护,如防过压/防过流/防反接/防浪涌等。
4、 产品若用电池供电,要求电池电压0V时,充电下产品必须能正常工作,不依赖于电池电压。
5、 产品必须支持长时间运输(如船运模式),出厂时特殊配置进入极限最低功耗。
6、 TWS产品尽可能选择可靠配对方式, “双击配对”容易产生混配,如客户确实需要,标红此功能负面影响。
1.2.2. 硬件设计原则:便于量产、便于测试
一、 原理图设计
要求兼顾功能和性能,设计时务必考虑安全、稳定、可靠。
总的原则是,优先功能模块化设计,参考典型电路方案,合理元件选型,留有余量设计,在标识上务求准确可靠、简洁明了,保证后续软件开发的便捷、可靠、 高效。
特别注意事项(IO分配原则):
1)务必考虑IO 电气干扰,如避免在敏感模拟信号旁边分配高速数字跳变信号等。
2)务必考虑IO特殊状态(如上电、软关机、掉电唤醒、长按复位、合绑等)。
3)务必考虑IO 电气特性,如IO驱动电流、耐高压、上下拉电阻、IO 内阻等特性。
4)务必考虑产品设计便捷性。合理IO分配,使产品最优化设计,便于缩短项目开发周期。
二、PCB设计
优先以下流程开发:结构设计、板层设计->天线->地场->晶振->电源->敏感信号等。
1)结构设计:模具最优化设计。射频/音频应用时,务必考虑天线、MIC、 喇叭等结构设计,以最大化发挥产品性能。
2)板层设计:优选多层板,可以提供完整地平面和信号线布局空间。若是单层板/2层板设计,则严格要求地回路阻抗小。
3)天线设计:选择合适的天线类型,和摆放空间。(蓝牙一般优选倒F天线)
4)地场设计:多层板必须留一层完整的地平面;双面板或单面板,地回路要合理设计。 (地直接影响系统性能)
5)晶振设计:远离干扰源。
6)电源设计:关注电源退耦电容、 电源布局、和线宽线长。
7)敏感信号设计:如 “DAC、 MIC、 LINEIN、 触摸”等功能模块或走线,注意远离干扰等。
第2章. 原理设计
AC710N 内置“充电管理、DCDC 电源、LDO 电源(3 .0V IOVDD、SDPG、MIC_LDO/BIAS),晶振,蓝牙,2路独立AUDIO ADC、2路独立AUDIO DAC、16路SARADC (10bit)、5路LP_Touch、 USB、 1个PWM_LED单元、2组SPI、2组UART、 1组SD、 1组ALINK (IIS)、 1 组QDEC (2相)、 1组IIC、 2组MCPWM、 4个Timer、 4路PWM、 IR红外接收、2路PLNK (数字MIC)、 内置上下拉电阻、 多档驱动电流、耐5V输入IO”等资源。
2.1.电源
2.1.1. 充电管理(VPWR、 VBAT)
芯片内置充电管理,支持输入VPWR≤5 .5V,输出 VBAT=4.2V或4 .4V或4.5V,最大恒流充电 Imax=225mA, VPWR支持单独给系统供电(仅支持LDO模式)。
使用外置充电时,VPWR 可用于充电插拔检测。
2.1.2. VBAT
VBAT是整个芯片的供电输入端,供电电压 “IOVDD+300mV”<VBAT≦4 .5V,一般接电池。要求VBAT和IOVDD压差>300mV,且IOVDD 电压>(FLASH工作电压或LVD 电压)。
注:部分型号VBAT管脚命名为VBAT(OCP),支持芯片端过流保护(需软件配置OCP使能)。
2.1.3. VMAX
VMAX是快充IO控制脚,专用于外置 “电压跟随充”电路控制,支持更大电流高效率给电池充电(要求配套的充电仓为恒流输出)。
2.1.4. DCDC/LDO
芯片内置 l路DCDC,支持DCDC或者LDO模式,DCDC模式存在DCDC辐射、及电源扯动等固有特性,设计上注意规避。
2.1.5. IOVDD
IOVDD是LDO稳压输出, 电压档位可调,最大输出电流Imax=l20mA@3 .0V (包含主控IO和系统消耗),在VBAT或VPWR不掉电情况下,IOVDD为常带电电源,无法关闭(软开机方案,IOVDD 连接外设,注意避免漏电)。
2.1.6. SDPG
SDPG 是 3.0V 电源域可开关输出电源,固定出口(PP2),输出特性约为 IOVDD,一般用于 SD/TF 卡供电,也可用于其他外设(需注意卡的扰动),支持强驱和弱驱,驱动电流30或300mA。
2.1.7. HPVDD
HPVDD是 DAC 电源输入端,其电压大小决定DAC模块输出功率。
注 l:部分型号HPVDD和DCVDD芯片内部合绑(命名DCVDD)。
注2:部分型号HPVDD为独立管脚,需和DCVDD/IOVDD/外置DCDC供电短接。
2.1.8. MIC_LDO/MIC_BIAS
MIC_LDO/MIC_BIAS 是用于 MIC 差分或单端电路供电的输出电源,默认不需要退耦电容。
其中, MIC_LDO 是LDO 稳压输出,输出范围 2V ≦ MIC_LDO ≦ 3V, 电压档位可调, 固定和 MIC_BIASA管脚合绑。MIC_BIAS有A/B 2组,可选上拉0 .3K~ l0 .5KΩ输出。
注 l:多路MIC,可任选MIC_BIASA/B独立供电,或共用MIC_LDO供电(共用时,需验证是否有串扰噪声问题)。
注2:驻极体MIC单端隔直/差分隔直,须占用MICBIAS/MICLDO供电,不能使用普通IO供电,因为可能存在串扰噪声问题,硅MIC则无此限制。
2.1.9. VCM
VCM 是音频参考电源。
2.2.晶振
芯片有 1组晶振接口XOSCI/XOSCO,一般接24M 晶振。
2.3.射频
2.3.1. BT蓝牙
BTRF是2 .4G蓝牙天线接口,工作频段:2.402~2.480GHz,必须配套2 .4G蓝牙天线,以保障蓝牙收发性能。
2.4.音频AUDIO
2.4.1. ANC(主动降噪)

图2-4-1 ANC框架
芯片内置全硬件实现的主动降噪(ANC)系统,有2路通道(IN0/IN1)输入,2路通道(OUT0/OUT1)输出。支持前馈(FF)、反馈(FB)、混合馈(Hybrid)降噪;支持同时ANC 降噪和语音通话,互不干扰。输入时,ANC支持2路模拟麦ADC(A/B)和4路数字PDM麦进行六选一输入(IN0、 IN1);输出时,ANC支持2路DAC(L/R)输出(OUT0可选IN0/IN1/IN0+IN1、 OUT1可选IN0/IN1/IN0+IN1);
FB支持 46.875~ 750KHz 采样率,FF最低为FB 的 16分频,支持多段 IIR 滤波器级联,且每段滤波器系数独立自由配置;支持回声消除(AFC)和啸叫抑制(HOWL_DET);支持淡入淡出(FIFO);支持动态范围控制(DRC)。
支持 FF、 FB、 CMP 采样率独立可配;支持在线更新滤波器。
支持风噪检测、 智能免摘、广域点击、佩戴(贴合度)检测等功能。
2.4.2. ADC(MIC、 AUX)
ADC有2路独立通道(A/B),支持8~ 192kHz采样率, 16 /24bit数据;支持模拟MIC、 数字 MIC, 以及 “LINE IN”输入,可选单端或差分。
MIC_x0是单端省电容MIC输入(专用),AIN_xN是差分负输入端(专用),AIN_x0/x1是同等的差分正输入端(也是单端信号输入端), x为A/B通道。
MIC_BIASx 是MIC差分或单端的供电电源,可选上拉0.3K~ 10.5KΩ输出, x为A/B通道。 其中 MIC_BIASA,固定和MIC_LDO合绑,可作强驱LDO稳压输出。
注:实际应用拓展,请查阅SDK可视化工具配置调整(或联系SDK项目组开发支持)。
| A组 | B组 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| PA0 | MIC_A0 /MIC_BIASA/ MIC_LDO | 单端省电容MIC /Bias 电源/LDO 电源 | PB11 | MIC_B0 /MIC_BIASB | 单端省电容MIC /Bias 电源 |
| PA1 | AIN_A0 | 单端0/差分正端 | PB10 | AIN_B0 | 单端0/差分正端 |
| PA2 | AIN_A1 /AIN_AN | 单端 1/差分正端/差分负端 | PB9 | AIN_B1 /AIN_BN | 单端 1/差分正端/差分负端 |
2.4.3. DAC
DAC有2路独立通道,包括“DACLP/DACLN”、“DACRP/DACRN”,支持2声道单端(LP/LN、 RP/RN)、2声道差分(LP+LN、 RP+RN)、2声道直推公共端(LP+LN、 RP+LN, LN为VCMO 公共端)模式,支持 8~384KHz 采样率, 16/24bit 数据,ADC结构上相互独立。
2.4.4. 数字MIC(PDM_DMIC)
PDM是数字麦克风接口, 由 DAT0、 DAT1、 CLK 组成,可任意映射到 PA/PB/PC 口。
| PB3 | PDM_CLK | 采样时钟 |
|---|---|---|
| PA6 | PDM_IDAT0 | 数据0通道 |
| PB0 | PDM_IDAT1 | 数据 1通道 |
注意:AC710N最多支持4路数字MIC输入,但同时只能处理2路数据。比如,MIC1/MIC2共用DAT0通道,L/R接低电平,可实现CLK上升沿采样数据。MIC3/MIC4共用DAT1通道,L/R接高电平,实现CLK下降沿采样数据。
2.4.5. 数字IIS(ALNK)
芯片内置 1个ALNK模块(Audio Link),是一个通用双声道音频接口,用于外设DAC或ADC,支持DMA。 支持4路独立双向通道(输入或输出)DAT0~DAT3,可相互独立工作,可任意映射到 PA/PB/PC 口。
| ALNK_SCLK | 位时钟 |
|---|---|
| ALNK_LRCK | 采样率 |
| ALNK_DAT0 | 数据0通道 |
| ALNK_DAT1A | 数据 1通道 |
| ALNK_DAT2A | 数据2通道 |
| ALNK_DAT3A | 数据3通道 |
| ALNK_MCLK | 主时钟 |
2.5.Peripherals
2.5.1. ADC(SARADC)
ADC是10Bit ADC,共16通道,固定IO。
| I/O | I/O | I/O | |||
|---|---|---|---|---|---|
| PA3 | ADC4 | PB3 | ADC10 | PC3 | ADC2 |
| PA4 | ADC5 | PB7 | ADC11 | PC4 | ADC3 |
| PA5 | ADC6 | PB8 | ADC12 | USBDP | ADC14 |
| PB0 | ADC7 | PP2 | ADC13 | USBDM | ADC15 |
| PB1 | ADC8 | PC1 | ADC0 | PB4 | PADC0 |
| PB2 | ADC9 | PC2 | ADC1 |
注:PC1作为NTC检测时,为特殊trim IO, 内部上拉指定200K时,可省外部 1%精度上拉电阻。使用其他SARADC功能IO,则外挂 1%精度上拉电阻,不可省。
注:PB4支持ADC采样输入,但需通过软件配置模拟多路开关AMUX选中。
2.5.2. LP_Touch(LPCTM)
LP_Touch是低功耗触摸检测模块(Low Power Capacitive Touch Module, LPCTM ),利用人体分布电容对触摸电容的影响来进行检测,支持低功耗唤醒,共5个通道,固定IO。
| I/O | |
|---|---|
| PB0 | LP_Touch1 |
| PB1 | LP_Touch2 |
| PB2 | LP_Touch3 |
| PB3 | LP_Touch4 |
| PB4 | LP_Touch5 |
注: 内置触摸是敏感的模拟信号,减少触摸通道应用,有助于减少干扰,提高生产良率。
2.5.3. IIC
IIC是一个标准的遵守IIC协议的串口通讯接口,支持主机和从机模式,上拉电阻越大,频率越低,共 1通道,可任意映射到PA/PB/PC 口。
| IIC_SD | IIC_SCL |
|---|
2.5.4. SPI
SPI是一个标准的遵守SPI协议的串口通讯接口,共2组,SPI0/SFC为系统自用,固定IO;SPI1 接口支持CPU控制,支持单向DMA(不能同时收发),可任意映射到PA/PB/PC 口。
| SPI1_CLK | SPI1DI | SPI1DO |
|---|---|---|
| SPI1D2 | SPI1D3 | SPI1CS |
2.5.5. UART
UART有UART0、 UART1,支持接收带循环Buffer 的DMA模式和普通模式,可任意映射到 PA/PB/PC 口。
| UART0_TX | UART1_TX |
|---|---|
| UART0_RX | UART1_RX |
2.5.6. SD
SD是一个标准的遵守SD协议的串口通讯接口,只有 1个模块;只支持主机模式;支持 1 bit
和4 bit模式;支持高速和低速模式,时钟最高50MHz;支持命令DMA和数据DMA,且相互独立,可以同时做DMA;可任意映射到PA/PB/PC 口。
| SD_CLK | SD_DAT1 |
|---|---|
| SD_CMD | SD_DAT2 |
| SD_DAT0 | SD_DAT3 |
2.5.7. USB
USB是一个Full Speed(USB1 . 1),支持普通IO功能,USBDP、 USBDM为固定IO。
USB1 . 1通信频率 12MHz。
2.5.8. QDEC
QDEC是正交编码器检测模块,支持2线输入。支持4phase、2 phase、 1 phase三种模式,一般旋转编码使用 1 phase, 鼠标滑轮使用2 phase;模块自带定时器,可独立定时检查;可任意映射到 PA/PB/PC 口。
| Q-decoder_0 | Q-decoder_ 1 |
|---|
2.5.9. NTC
NTC 是热敏电阻检测,用于检测温度变化范围。
注:PC1作为NTC检测时,为特殊trim IO, 内部上拉指定200K时,可省外部 1%精度上拉电阻。使用其他SARADC功能IO,则外挂 1%精度上拉电阻,不可省。
2.5.10. Timer(TMR/CNT/CAP/PWM)
Timer有Timer0~Timer3共4个32位定时器,支持定时TMRx/计数CNTx/捕捉CAPx/PWMx, x=0~3;驱动源可以选择 “内部时钟”或 “外部信号”,支持上升沿/下降沿捕获功能,可以测量外部信号电平宽度,可任意映射到PA/PB/PC 口。
注:每个Timer都有独立的IRFLT(专门用于滤除红外接收头上窄脉冲信号的硬件模块),支持同时接收4路红外信号。
2.5.11. CLKOUT
CLKOUT有2组时钟输出(Clk_out0/1、Clk_out2),支持crossbar将内部时钟信号驱动至片外,用于测试或特殊用途。
| Clk_out0/1 | Clk_out2 |
|---|
2.5.12. MCPWM
MCPWM 模块包括:2 个 MCTimer 时基(TMRxCK), 2对独立 PWM 通道(PWMCHxL/H), 2 路 FPINx 故障保护输入,x=0~ 1; MCTimer 是 16 位定时器;MCPWM 支持运行中更改频率、 占空比,支持灵活配置每对通道的电平状态,支持编程死区控制,支持硬件故障输入 FPIN;可任意映射到 PA/PB/PC 口。
| MCPWM0 | MCPWM1 | ||
|---|---|---|---|
| CH0L | CH0H | CH1L | CH1H |
| TMR0CK | TMR1CK | ||
| FPIN0 | FPIN1 |
2.5.13. PWM_LED
PWM_LED,是通过脉冲宽度调节控制 LED 的亮度与亮灭的一个硬件模块,只有 1个模块,只能产生一个激励,支持单IO推单灯,或单IO推双灯,可任意映射到PA/PB/PC 口。
注:区别于Timer(PWM)推灯,PWM_LED支持更灵活的推灯样式,不需要软件不断地介入去修改占空比,对外部的干扰更小。
2.6.GPIO
2.6.1. IO上下拉电阻、上电默认配置
IO 内置上下拉电阻偏差为 “±20%”
| Resistor | Pull-Up (上拉) | Pull-Down(下拉) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Register | PU1、 PU0 | PD1、 PD0 | ||||||
| Port Bit | 00 | 01 | 10 | 11 | 00 | 01 | 10 | 11 |
| PA0~PA6 PB0~PB11 PC0~PC4 VPWR(PP0) SDPG(PP2) | -- | 10KΩ | 200KΩ | 1MΩ | -- | 10KΩ | 200KΩ | 1MΩ |
| USBDM | 180KΩ | 10KΩ | 200KΩ | 1MΩ | 15KΩ | 10KΩ | 200KΩ | 1MΩ |
| USBDP | 1.5KΩ | 10KΩ | 200KΩ | 1MΩ | 15KΩ | 10KΩ | 200KΩ | 1MΩ |
芯片上电开机IO初始状态:
| 默认上拉IO= 10KΩ | 默认下拉IO= 10KΩ | 默认下拉IO= 15KΩ |
|---|---|---|
| PB2、 PB4 | PA2 | USBDM、 USBDP |
注:PB4支持长按低电平复位,可软件烧写屏蔽
2.6.2. IO驱动电流、状态、 高压IO(HVT)
| IO输入逻辑电平 | Input VH≧0 .7 *IOVDD, Input VL≦0 .3 *IOVDD | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HD1、 HD0 | 电源域/耐压 | 软关唤醒时IO状态 | ||||||
| Port Bit | 00 | 01 | 10 | 11 | ||||
| PA0~PA6 PB0~PB4 PB7~PB11 PC1~PC4 | 1mA | 4mA | 8mA | 31mA | IOVDD | 保持 | ||
| VMAX(PB5) | 1mA | 4mA | 8mA | 9mA | -- | 保持 | ||
| PB6 | 1mA | 4mA | 8mA | 9mA | ≦VBAT (高压IO) | 保持 | ||
| PC0 | 1mA | 4mA | 8mA | 9mA | ≦6V (高压IO) | 保持 | ||
| VPWR(PP0) | 2mA | ≦6V (高压IO) | -- | |||||
| SDPG(PP2) | 30mA | 300mA | -- | -- | IOVDD | 保持 | ||
| USBDP USBDM | 8mA | IOVDD | -- |
备注:
1、 IOVDD是3.0V 电源域;当2 IOVDD<5 .5V 时,高压IO耐压≦2IOVDD(PB6 除外)。
2、 VPWR(PP0)、SDPG(PP2)、 VMAX(PB5)、USBDM/DP为专用外设,不推荐做普通 IO应用。
2.6.3. 数字外设和IO重映射
AC710N具备丰富的数字外设和IO重映射功能,除固定IO接口外,其余IO可依据芯片规格书灵活分配。
注 1:模拟音频、 内置触摸、ADC检测、USB、 SFC/SPI0、ISP等外设,为固定IO,严禁随意分配。
注2: SPI1、 UART、 IIC、 SD、 QDEC、 ALNK(IIS)、PLNK(数字MIC)、MCPWM、 Timer、 PWM_LED等外设,支持crossbar 映射,可灵活分配IO,支持映射到除PF组外的IO,如PA组、PB组、 PC组、PP0、 PP2、 USBDM、 USBDP。
<备注>
1)不推荐crossbar 映射到PP0。 因为PP0(VPWR),专用于内置充电输入,或做普通IO时,也仅用于IO按键或输入检测功能。
2)不推荐crossbar 映射到PP2。 因为PP2(SDPG),专用于SD/TF卡供电,或做普通IO时,也仅用于IO按键或输入检测功能。
3)不推荐crossbar映射到PB5。 因为PB5(VMAX),专用于电压跟随充控制,要求配套充电仓为恒流输出,支持更大电流高效率给电池充电。
4)不推荐crossbar映射到USBDM/DP。 因为USBDM/DP,专用于USB功能应用,或做普通IO时,也仅用于IO按键或输入检测功能。
第3章. 硬件设计
以蓝牙产品为例,优先以下流程设计:
产品结构、板层设计->天线->地场->晶振->电源->敏感信号设计等
3.1.产品结构、板层设计
项目立项前期必须重点评估产品结构, 以最大化发挥无线射频、 声学音频性能。
重点留意“天线”、“MIC”、“喇叭腔体”的结构位置,要求“天线”有足够的辐射空间、 “MIC”
利于声音高质量采集等, “喇叭腔体”利于声音高质量传输等, 以向客户提供优越性能的产品。
例如:天线周边的金属材料会干扰天线性能,天线位置靠近人体会阻隔辐射等。尽可能结构设计时,给天线有足够的立体空间,天线尺寸越大、 天线性能越好。
例如:MIC和喇叭选型、腔体设计、装配设计,要求一致性优良。 出厂前务必做好声学结构设计, 以利于后续软件算法,最大化发挥声学性能。
PCB 板优选多层板,以提供完整的地平面和信号线布局空间。单面板或双面板设计,则严格要求电源信号完整性,要求 “地回路阻抗小”。
好的产品结构和板层,可以高效、快速的推进项目实现和落地, 以最低的时间成本获取收益。
3.2.天线设计
天线必须有足够的立体空间。
天线选型,需结合产品的外观、尺寸、 结构、使用场景决定。
BT 蓝牙天线常用的有“板载、陶瓷、FPC”3 种;原理上一般有“单极、双极、 回路(Loop)”,天线效率理论上“单极>双极>Loop”,但是单极天线容易受周围材料影响,从而改变天线特性。根据天线空间和产品外观,选择合适的天线:
小尺寸的产品,优选顺序为: “FPC->陶瓷->板载”(原理上:单极->双极->Loop);
大尺寸的产品(长边≧4CM),直接设计板载天线(原理上:单极->双极),板载天线类型有“倒 F、 蛇形、I 型等”,考虑稳定性,首选倒 F 型。
一、 原理图设计
图3-2-1 天线电路
1)天线预留T型或π型匹配网络,且靠近天线端处TVS管不可省(寄生电容≤0.6pF)。如有必要,可增加滤波器衰减蓝牙高次谐波信号,防止杂散超标;
2)天线匹配需采用高精度电感、 电容(高频物料),保证产品蓝牙性能及一致性;物料取值,参考网分仪匹配调整,或根据实际测试结果调整。
原则上,每款机型,都需通过调整匹配,达到最佳的蓝牙性能。
二、PCB设计
1、 天线布局
1)根据空间结构,必需合理选择天线类型和布局位置,远离电池、 喇叭、触摸铜箔、人体等。
2) “天线”和“地”必需要统一设计,要求地平面完整,空间足够。
3)天线必需靠近板边放置,净空区尽可能大,至少≧3mm。
4)天线背面禁止任何走线、及敷铜,必需镂空。
5)天线必需远离 “DCDC 电路、翻转IO”等,减少对RF 的干扰。
6)天线必需远离DAC、 MIC等电路,减少RF辐射导致的射频噪音。
2、 匹配网络、传输线50欧姆设计
蓝牙天线匹配网络有:T 型、 Π型、 L 型;前期设计上,小尺寸天线选T 型,大尺寸天线选Π型;最后实际使用一般是 L 型;任何一款“天线”或“样机”必须做阻抗匹配,匹配参数以实际调试为准。
图 3-2-3 BTRF传输线(白色线)
1)天线匹配网络及传输线,要控制好50欧阻抗设计。可要求板厂设计实现,也可使用阻抗计算工具(如 SI9000),根据 “板厚、板层、板材、铜厚”合理设计 RF 传输线的 “线宽、线距”。
2)匹配物料要求紧凑摆放,周边地场干净完整。布局上需避开晶振、MIC、 DAC等敏感信号,以及高速数字翻转信号。
3)传输线,走线尽量短,禁止有分支。
4)传输线,走线尽量直线引出,避免90度拐角走线。
5)传输线,两侧的地打过孔墙,一般按 1-2mm 的间距打过孔墙。
3.3.地场设计(关键项)
优秀的地场设计,可以有效降低各类噪声,提升RF、 DAC、 ADC 等性能和抗静电能力,请重点关注;
AC710N 主要有 3种地网络:
1)GND:一般包括“逻辑、数字、控制、 电源、蓝牙”等地回路。
2)AGND:一般包括 “MIC、 DAC”等音频模拟地,及音频相关的电源模拟地。
3)PGND:一般包括DCDC 电源相关的地回路。
设计注意事项:
1、 音频方案,严格区分 GND(数字)和AGND(模拟)。 (不分地,存在音频噪声风险)
1)模拟音频(MIC/DAC)相关电路的AGND,独立走线回主控AGND。
2)AGND 回路要求无噪声(即电流平稳,无抖动),一般短接于电池端、 或功放bypass处,走线≧0 .5mm;有功放方案,一般区分功放地、主控地,且各自独立在电池端短接, 电池尽量布局在功放和主控中间。
2、 DCDC 方案,严格区分 PGND 和 GND。 (不分地,存在蓝牙性能变差风险)
1)PGND 管脚,禁止直接和芯片衬底地表层短接。
2)PGND可在VBAT退耦电容地打过孔到背面和主地GND短接,或单独走线到电池地短接。
注: LDO方案无此限制,可统一GND设计。
3、GND到电池负端阻抗尽可能最小,即走线、 铺地尽可能宽, 4层PCB 必须设计一层完整
的铺地地层。地回路路径(包括电池负端到锂保IC)不能出现窄带、细线、破碎的地面。
4、主控和其各电源退耦电容必须共地良好,严禁破碎。
图 3-3 完整的中间地层
3.4.晶振设计
AC710N有1组晶振接口,一般接24M 晶振。
注 1:产品必须选择精度高、 稳定性好、 可靠性强的晶振,这将直接决定产品的射频性能,决定系统的稳定性和可靠度,差的晶振会导致各种不可预期的问题,甚至给客户直接带来经济损失。
注2:产品出厂前,必须用我司《蓝牙测试盒》等工具,测试频偏(± 10KHz 以内),如偏差过大,可以测试盒校准,或修改外挂负载电容。
注3:如产品性能异常,可关注晶振设计,围绕晶振选型、布局、走线、接地回路等排查优化。
一、 原理图设计
图3-4-1 晶振电路(24MHZ)
- 24M晶振规格:±10PPM,9PF的负载电容。 (电容位默认NC)
2)晶振管脚邻近IO 口,严禁分配高速翻转信号,如SPI、UART等,以保证系统性能及稳定性;
二、PCB设计

图3-4-2 晶振layout参考(多层板)
1)晶振需远离高频数字、敏感模拟、RF和易受干扰模块。
2)晶振布线不宜过粗、过长,尽量用地线包裹屏蔽,减少其他干扰源的影响;
3)晶振下方必须必须完整铺地,禁止走线(如电源/敏感信号等)。多层板设计时,晶振及外挂负载电容表层和相邻内层净空,不做铺地处理, 以减少寄生电感、 电容。
3.5.电源设计
3.5.1. 供电场景及范围
AC710N 内置电源输入管理单元,支持VBAT单独给系统供电,也支持VPWR单独给系统供电。设计时,需留意供电场景及电压范围。
Table 3-5-1 供电场景
| 主控供电场景 | 备注 | |
|---|---|---|
| 单独供电至VPWR (VBAT不接电池) | 支持 | 4.5V≦VPWR≦5 .5V (仅支持LDO模式,不支持DCDC模式) |
| 单独供电至VBAT 如3.7V锂电池供电 | 支持 | (IOVDD+300mV)<VBAT≦4 .5V 且IOVDD 电压>FLASH工作电压或LVD 电压 |
| 供电至VBAT 同时VPWR用于充电输入端 | 支持 | VPWR为充电输入端 VBAT为充电输出端 |
3.5.2. 芯片外围物料取值
AC710N芯片外围物料,可选标准方案、省成本方案(默认),根据需求选择。
图3-5-2 芯片外围物料取值
3.5.3. DCDC设计(关键项)
AC710N 内置 1路DCDC,支持DCDC和LDO模式。其中,DCDC模式存在DCDC辐射、及电源扯动等固有特性,设计上注意规避。
基本设计原则
1)严格参考标准原理图,选型设计。
2)各电源退耦电容靠近主控IC放置,且电容和主控必须共地一致,严格控制“地回路阻抗”。
3)各电源(大电流通路)布线线宽建议≧0 .5mm,留有余量设计(一般经验50mA/0 . 1mm)。
4)电源走线优先路径最短化,尽量远离板边走线,以免引入干扰。走线时,要求电源(退耦电容大容值处)星形走线给各分支模块供电,先经退耦电容,再供电给各分支模块电源管脚。
5)如产品蓝牙性能异常,可关注DCDC 电源设计,建议和LDO模式对比。围绕功率电感选型、布局、走线、PGND接地回路设计等排查优化。
一、 原理图设计
图3-5-3-1 电源模式(DCDC)
DCDC 电路由 VBAT、 SW、 PGND、 LC功率滤波及退耦电容组成,请严格参考原理图设计,尤其关注PGND分地设计、 功率电感、退耦合电容选型及设计要求。
1)功率电感选型:10uH,DCR尽可能小(如≦2Ω),SFR≧20MHz,Isat/Irms≧200mA,感值稳定。严禁使用不稳定的功率电感,例如有些功率电感,通过 100mA 电流时,感值<1uH,感值急剧下降。
2) DCVDD 纹波≦50mV。
3)注意电源退耦容值随电压升高而下降,请确保其工作电压下的容值≈标称值。
4)主控电源退耦电容,优选大封装尺寸(如0402及以上), 以保证工作电压下的容值。
主控VBAT、DCVDD退耦电容耐压值要求≧ 16V,主控其他电容耐压值≧6 .3V;
其他外设电容依据其工作电压要求选择(防止浪涌、过冲击穿),一般5V 电源域耐压值≧ 16V。
5)使用原装电容(非拆机、 劣质电容), 以保证容值、和品质。
6)各退耦电容容值和要求请参照“标准原理图”。
二、PCB设计
1)DCDC方案必须区分PGND和GND(LDO方案无此限制)。
2)DCDC方案,PGND 管脚,禁止直接和芯片衬底地表层短接。PGND可在VBAT退耦电容地打过孔到背面和主地GND短接,或单独走线到电池地短接。
3)功率电感尽量靠近主控, SW 走线尽量短、粗、 不过孔。
4)功率电感避免正对喇叭,需远离MIC、 DAC、 触摸、RF、 磁铁等模拟和易受干扰模块。特别是 “SW 走线和功率电感”处,禁止布线(多层板可以用地隔离)。
5)DCDC退耦电容地,必须短且大面积回到主控衬底GND处,主控衬底GND要大面积铺地回电池地,尽量保证某一层完整地。
6)DCVDD 必须从 LC 滤波电容处引出,即走线经过 106 电容后,才能给其他模块供电,线宽≧0 .5mm。
7)VBAT 105退耦电容地,酌情远离DCVDD 106 电容地及晶振地。
8)注意功率电感的辐射干扰,优选屏蔽性能好的大尺寸封装电感。
图3-5-3-2 DCDC方案Layout参考
(4层板_PGND在VBAT退耦电容地处打过孔到内层主地GND短接)
3.6.音频ADC设计
AC710N 内置2路16/24位独立通道ADC,支持模拟MIC和AUX输入(共用通路),可选单端或差分,使用时根据应用场景选择。
3.6.1. MIC输入设计
MIC支持单端省电容(仅支持驻极体MIC)、单端隔直(支持驻极体MIC/硅MIC)、差分隔直(支持驻极体MIC/硅MIC)模式,使用时根据需求选择。
一、 原理图设计
图3-6-1-1 模拟麦方案
图3-6-1-2 FF & 双麦ENC方案
1)MIC管脚邻近IO,严禁分配高速数字翻转信号,如PWM、 UART等,防止干扰音频性能。
2)MIC信号管脚预留对地电容物料, 以滤除高频干扰信号。
3)MIC器件地为模拟地,走线时必须单独连接到主控IC模拟地AGND, 以保证地回路干净。
4)MIC信号输入端附近,预留静电管,可提高抗静电能力。
5)MIC信号输入端附近,预留串联电阻、磁珠及对地电容料,可防止EMI/EMC杂散超标。
头戴式和中控类单馈ANC方案设计(关键项)
图3-6-l-3 单馈ANC & Talk_MIC(数字麦/驻极体MIC)方案
l)多路MIC,可任选MIC_BIASA/B独立供电,或共用MIC_LDO供电(共用时,需验证是否有串扰噪声问题),MIC_BIAS/LDO给外设MIC供电时,默认都不需要接退耦电容。
2)驻极体MIC单端隔直/差分隔直,供电优选MIC_LDO/MIC_BIAS,不能使用普通IO供电,因为可能存在串扰噪声问题,模拟硅MIC,则无此限制。
3)驻极体MIC差分隔直,MIC两端偏置电阻阻值建议接近, 以保证动态范围。
4)MIC应用时,相关通道IO/电源,其与邻近IO尽量不接高速翻转的数字信号, 以避免串扰。
二、PCB设计
l)MIC 电路必须远离干扰源,如RF天线、数字信号等;
2)MIC信号物料及布线路径尽量用地线包裹屏蔽,减少其他干扰源的影响;
3)MIC必须分地,为AGND;地回路顺序为“MIC_GND->主控AGND->功放Bypass 电容地或总电源地入口处(如电池负极)短接”,走线尽可能粗;多层板、或受尺寸限制样机,可尝试AGND在主控处短接。 (注意验证MIC/AUX/DAC等是否有噪声)
图 3-6-l-4 MIC地回路及差分走线说明
3.7.音频DAC设计
3.7.1. DAC驱动&HPVDD供电
AC710N支持DAC大功率输出(如20/30/50/80/100mW@16ohm喇叭),输出功率由HPVDD 电压决定。
注 1:部分型号HPVDD和DCVDD芯片内部合绑(命名DCVDD)。
注2:部分型号HPVDD为独立管脚,需和DCVDD/IOVDD/外置DCDC供电短接。
图 3-7-1 DAC驱动能力&HPVDD供电要求
3.7.2. DAC输出设计
AC710N 内置2路16/24位独立通道DAC,包括 “DACLP/DACLN”、 “DACRP/DACRN”,支持2声道单端(LP/LN、RP/RN)、2声道差分(LP+LN、RP+RN)、2声道直推公共端(LP+LN、 RP+LN, LN为VCMO公共端)模式,使用时根据应用场景选择。
注:DAC立体声优选双差分输出,DAC单声道优选单差分输出。实际应用,请查阅SDK可视化工具配置调整(或联系SDK项目组开发支持)。
一、 原理图设计
图3-7-2-1 DAC单声道_差分输出
图3-7-2-2 DAC立体声_双差分输出
图3-7-2-3 DAC立体声_共用DACLN输出
1)DAC管脚邻近IO,严禁分配高速数字翻转信号,如PWM、 UART等,防止干扰音频性能;
2)DAC建议预留LC抗干扰电路,根据实际噪声情况,可适当的调整参数, L 的参考范围 10~ 560nH, C 的参考范围 10~ 100pF;
3)DAC耳机接口(负载端),预留对地静电管,可提高抗静电能力。
二、PCB设计
1)DAC 电路必须远离干扰源,如RF天线、数字信号等。
2)DAC信号物料及布线路径尽量用地线包裹屏蔽,减少其他干扰源的影响;
必要时,可对DAC布局走线区域净空。
3)DAC整个音频信号布线,走线尽可能加粗,有助于减小回路阻抗,保证良好的信噪比;
4)DAC必须分地,为AGND;地回路顺序为“DAC器件地->主控AGND->功放Bypass 电容地或总电源地入口处(如电池负极)短接”,走线尽可能粗;多层板、或受尺寸限制样机,可尝试AGND在主控处短接。 (注意验证MIC/AUX/DAC等是否有噪声)
3.8.LP_TOUCH 内置触摸设计(LP_CTMU)
AC710N 内置LP_CTMU低功耗高精度触摸模块,最多支持5路独立的触摸通道。
一、 原理图设计
图3-8 内置触摸(敲击/入耳检测)
1)内置触摸是敏感模拟信号,邻近IO 口严禁分配高速翻转IO,如LED、 晶振、开关电源等。
2)内置触摸,通道数量越少,干扰越少。 原则上,只选用 1路触摸通道用于敲击/入耳检测。如需增加通道,建议生产前,量测一致性, 以保证良率。
3)内置入耳检测,仅限入耳检测不容易被误触的机型(如OWS挂耳机型),建议生产前,量测一致性, 以保证良率。
4)内置触摸,预留静电管(优选0201/0402小封装, 以减少寄生效应),可提高抗静电能力。
二、PCB设计
1)芯片内置触摸的原理:是利用检测人体分布电容对触摸铜箔电容的影响,通过检测该电容量的变化,进而达到触摸识别的功能。 因此硬件设计必须尽可能减少寄生电容,布局允许情况下,触摸焊点离芯片引脚越近越好。
2)触摸布线按最小线宽走线,且尽可能短;
3)触摸焊盘需镂空设计(有干扰源的必需用地隔离)。
4)触摸可适当增大铺地安全间距(前提需确保地场完整);
5)内置触摸信号是敏感的模拟信号,布局走线应远离高速数字信号,如DCDC 电感、LED、晶振、 电源等,避免与之相邻或并行走线,防止被干扰。
3.9.NTC检测电路设计
PC1用于省外部上拉NTC检测时,内部上拉指定200K,可省外部 1%精度上拉电阻,支持主流 NTC_ 100K@25℃。
图3-9 NTC 电路
3.10.防静电设计
电子设备必须做防静电设计,因为在干燥低温的生产环境下容易产生静电,容易造成电子器件的损坏。
注:静电设计标准(接触放电≧ ±4KV;空气放电≧ ±8KV),设计需留有余量。
一、 设计阶段防静电设计
1)产品结构,务必考虑静电防护。如增加模具厚度,加大PCBA与壳体间距,做好壳体密封等。
2)PCB地场设计必须完整,要求面积大,不存在破碎,细回路,板边连续。
3)敏感信号线严禁靠近板边走线(如晶振、触摸、音频DAC等)。
4)BT天线必须远离静电入口,且天线入口处,必须加双向TVS管。
5)供电入口(如DC5V适配器或USB5V接口等供电),必须加单向TVS管(有防浪涌除外)。
6) “缝隙、接口处电路”必须预留ESD管,如按键、 喇叭、MIC、 USB等。
7)单向信号使用单向ESD管。
8)ESD管靠近静电入口处放置。
9)在VCM退耦电容处,用 105 电容连接AGND和GND。
图 3-10 防静电处理电路
BT天线 TVS管选型列表
表 3-10 优选的双向ESD管列表
| 型号/名称 | 供应商/品牌 | 联系人 | 联系方式/电话 |
|---|---|---|---|
| ESD2D005LA | ASIM(阿赛姆) | 舒工 | 18813929032 |
| ST0321D4S | 盛邦尔 | 罗总 | 13923806122 |
备注:其它标准的TVS管可咨询上述供应商。
二、生产阶段防静电要求
请严格做好生产周期内所有阶段的静电防护。
1)所有生产、测试设备、工作环境,必须做防静电处理。
2)SMT 贴片、建议最后贴IC芯片。
3)生产、测试人员必须佩戴防静电手环、手套,穿防静电服、鞋子。
4)使用防静电材料包装、运输。
3.11.防浪涌设计
电子设备必须做防浪涌设计,因为电网、 充电器的感性特性,会在供电瞬间产生浪涌电压,造成电子器件的损坏。
注:浪涌设计标准(一般抗浪涌电压≧ ±48V),标准必须根据产品的应用场景调整,如一些电源适配器,浪涌峰值 100V,则抗浪涌电压必须大于 110V。 设计需留有余量。
图 3-11 5V充电保护(单向TVS管+OVP保护)
1)充电输入端(如DC5V适配器/USB5V接口等),必须加浪涌保护电路;
2)浪涌保护电路有:OVP保护IC、 单向TVS管、OVP+TVS,根据需求选择,一般OVP优于单向TVS。
单向浪涌TVS管选型列表
表 3-11 48V标准优选的单向TVS管列表
| 型号/名称 | 供应商/品牌 | 联系人 | 联系方式/电话 |
|---|---|---|---|
| ST0651D4/ ST0571D4 | 盛邦尔 | 罗总 | 13923806122 |
| MDFN2A051SM | Me | 秦总 | 13902974144 |
备注:其它标准的TVS管可咨询上述供应商。
3.12. EMC/EMI防护设计
需要过电磁兼容性标准、 或需要进行电磁兼容性设计的方案,从以下方面优化电磁辐射和电磁干扰:
1)增加PCB屏蔽罩。
2)高速信号线加磁珠、LC、 RC滤波电路,如USB、 SD、 LCD等信号。
3)多层板,信号线和电源线走中间层。
4)合理布局,使 “带辐射的走线”尽可能短。
5)PCB板边连续地,且有完整的地平面。
6)易受干扰的信号注意保护,如走内层、地隔离、地包裹等。
第4章. 开发、生产、量产说明
4.1.烧写、升级、测试说明
AC710N支持USB/串口/无线烧写升级,使用时,请留意烧写升级场景及烧写电压。
图4-1 烧写、升级、测试说明
注:VPWR 串口升级,VPWR线路对地电容需尽量小(比如<= 1nF)。
4.2.耳机生产装配说明
由于整机环境直接影响产品的性能,因此必须重视整机的装配,注意装机的一致性。
1)电池、 电池线需要固定安装,远离喇叭/天线/功率电感等敏感信号,避免耦合干扰。
比如, 电池贴海绵胶垫高固定,拉大与天线的距离, 以提升RF性能
比如, 电池焊点面,背对喇叭放置, 电池和电池线尽量远离喇叭及喇叭线。
2)喇叭、喇叭线、MIC线需要固定安装,远离电池/天线/功率电感等敏感信号,避免耦合干扰。比如, 电池线和喇叭线双绞线处理,分开装配, 以减少耦合干扰,保证装机的一致性。
图 4-2 双绞线示意图
4.3.TWS生产配对说明
TWS方案应用,默认声道相同的耳机不能配对。未使用软件或硬件分配声道,或未使用测试盒固定声道,TWS配对成功后,会随机分配声道,从而导致生产配对异常风险。
因此,建议使用测试盒搭配模具,进行烧写配对,以固化声道信息,来保证生产配对良率/效率。
