1.6. 状态指示和报错提示说明

1.6.1. led指示灯说明

1.6.1.1. 电源指示灯

按下电源自锁开关，电源指示灯红灯亮起。电源指示灯如电源指示灯所示。

电源指示灯

1.6.1.2. 工作模式指示灯

  1. 工作模式指示灯如工作模式指示灯所示。

    工作模式指示灯

  2. 工作模式指示灯状态说明

    编号

    工作模式

    LED1

    LED2

    LED3

    LED4

    LED5

    LED6

    1

    烧写模式

    亮

    亮

    亮

    灭

    灭

    /

    2

    校验模式

    亮

    灭

    亮

    灭

    灭

    /

    3

    查空模式

    亮

    灭

    灭

    亮

    灭

    /

    4

    声音模式

    /

    /

    /

    /

    /

    亮

    5

    静音模式

    /

    /

    /

    /

    /

    灭

1.6.1.3. 开始按键指示灯

  1. 开始按键指示灯如开始按键指示灯所示

    开始按键指示灯

  2. 开始按键指示灯状态说明

    编号

    烧写状态

    绿灯

    红灯

    1

    正常状态

    灭

    灭

    2

    正在烧录

    亮

    灭

    3

    烧录成功

    灭

    灭

    4

    烧录失败

    灭

    亮

1.6.2. 蜂鸣器提示音说明

编号

情景

提示音类型

提示音说明

1

上电开机

短叫1声

烧写器上电开机正常

2

上电开机

叫2声以上

上电开机异常，结合显示屏信息了解报错情况

3

烧录过程

短叫1声

烧写完成，提示烧录成功

4

烧录过程

叫2声及以上

烧录异常，结合显示屏信息了解报错情况

1.6.3. OLED显示说明

1.6.3.1. 上电开机显示

显示杰理，再显示2S烧写版本信息，后进入正常界面显示，如上电开机显示所示。

上电开机显示

1.6.3.2. 正常界面介绍

显示屏正常界面显示如工作显示界面介绍所示。

工作显示界面介绍

注：工作模式只有V5.0版本才显示。

1.6.3.3. 烧录成功显示

对应的通道显示屏成功计数部分加1（如工作显示界面介绍所示，通道1烧写成功次数部分）。

1.6.3.4. 烧录失败显示

  1. 显示屏显示的错误提示类型格式

    通道：E错误号-中文提示

    例如：1：E02-通信失败

  2. 显示屏错误显示

    举例：如通道1报操作超时,通道2报通信失败，显示如错误提示显示所示。

    错误提示显示

1.6.3.5. 升级模式显示

升级烧写器程序或更新目标芯片程序，烧写器插入USB连接PC后，出现如进入升级模式显示所示显示。

进入升级模式显示

1.6.3.6. 模式设置显示

V5.0版本烧写器，长按3s独立按键（参考：烧写器主机介绍 中的图片）后进入模式设置显示，后短按按键（烧写-校验-查空）循环切换，显示如模式设置显示所示。

模式设置显示

1.6.4. OLED报错提示说明

以下通过表格的形式对显示屏报错提示进行说明。

上电开机报错提示说明：

错误编号

错误提示类型

错误提示说明

无烧写文件

烧写器远程升级后重新上电开机会提示无烧写器文件,
这时请通过PC工具更新需要烧录芯片对应的.key文件，.fw文件，.ufw文件到烧写器即可

无SYNC文件

烧写器固件不存在所选择要烧录芯片的sync文件，一般正式版固件不会出现;
处理方法
：及时反馈联系杰理技术支持

E17

VPP异常

开机上电过程，烧写器输出给上层板或者转接板的6.5V电压偏差太大，
偏差不在6.45V~6.75V会报VPP异常；
处理方法：
请用示波器测量6.5V电压，或尝试更换CAT5171器件

E30

ADC错误

烧写器电流测试模块ADC芯片cs1237初始化异常，无法获取芯片ID；
处理方法：
尝试更换cs1237物料，检查焊接情况

E31

内存错误

烧写器EPPROM芯片初始化异常,使用时间过长可能出现EPPROM芯片受损；
处理方法
：尝试更换EPPROM物料，检查焊接情况

ERR-INIT:

no_test_config

PC无任何配置选项,或软件存在bug；
处理方法
：及时反馈联系杰理技术支持

chip_name_match

更新.key文件，.fw文件，.ufw 文件到烧写器后,重新上电开机，
烧写器匹配不到对应用户所选的芯片型号名;
处理方法：
及时反馈联系杰理技术支持

no_file_type

烧写器固件解析文件出错；
处理方法：
及时反馈联系杰理技术支持

file_len_min

PC传输的文件过小，小于4字节；
sdram不自动分配小于4字节的空间；公版固件一般不会出现

sdram_usedup

.fw文件,认证码文件,资源文件等文件过大且同时加载这些文件一起烧录时，
导致烧写器的sdram空间不够存储这些文件；
处理方法：
认证码等文件不宜配置过大

load_to_sdram

flash数据读取到主控sdram失败；
处理方法
：尝试更换烧写器外挂flash,或者主控

key_mask

PC 传给烧写器的key 文件格式不对；
处理方法：
及时反馈联系杰理技术支持

auth_code_init

认证码数据格式不对;
处理方法:
参考烧写器用户手册,进行数据格式检查及重新进行数据格式转换

efuse_bin_len

AC702N/JL702N等型号下载目录的efuse.bin文件数据超过123字节;
处理方法：
检查下载目录的efuse.bin文件大小

uplog_crc_err

PC传给烧写器的uplog文件crc出错；一般不会出现此类情况

resfile_num_over

下载目录.ini文件配置的资源文件个数超过16个；
处理方法：
资源文件个数如超过16个，请联系杰理技术支持，申请特殊烧写器版本

pc_cfg_crc_err

PC传给烧写器的配置数据crc出错；
处理方法：
及时反馈联系杰理技术支持

bt_addr_init

pc端配置的蓝牙地址自增范围过大，超2^32个；
或者配置的起始地址和结束地址大小颠倒

params_len_over

下载目录.ini文件配置的参数关键字长度过长,
超过256字节；一般不会出现此类情况

flash_efuse_cfg

AC702N/JL702N型号下载目录.ini文件[BURNER_PASSTHROUGH_CFG]
没有配置REQUIRE_TARGET_FEATURE=FLASH/EFUSE;
处理方法：
重新配置

lighting_mode

AC128N,AD16N 下载目录.ini文件配置的lighting_mode参数格式不对

lighting2typec

AC128N,AD16N 下载目录.ini文件配置的lighting2typec参数格式不对

lighting_ot

AC128N,AD16N 下载目录.ini文件配置的lighting_ot参数格式不对

flash_do_reset

AC128N,AD16N 下载目录.ini文件配置的flash_do_reset参数格式不对

sfc_boot

AC128N,AD16N 下载目录.ini文件配置的sfc_boot参数格式不对

otp_boot

AC128N,AD16N 下载目录.ini文件配置的otp_boot参数格式不对

bflt_len_over

多算法授权功能：PC传给烧写器的bflt文件数据长度超过8k；
处理方法：
及时反馈联系杰理技术支持

bflt_num_err

多算法授权功能：PC传给烧写器的bflt文件个数不对，超32个;
处理方法：
及时反馈联系杰理技术支持

flash_wp_cfg

下载目录.ini文件[BURNER_PASSTHROUGH_CFG]配置 FLASH_WRITE_PROTECT =YES/NO出错;
处理方法：
检查是否配置是FLASH_WRITE_PROTECT =YES/NO

init_err_default

其它情况的初始化报错；
处理方法：
及时反馈联系杰理技术支持

烧录过程报错提示说明：

错误编号

错误提示类型

错误提示说明

E02

通信失败

手动或自动执行开始烧录芯片时候，烧写器与目标芯片通信不成功；
处理方法：
1、检查有无芯片；2、芯片放置脚位是否OK；
3、烧写的芯片型号是否对应；4、检查座子及接线情况

E03

flash数据校验失败类

校验失败

烧写器工作模式为校验模式：更新到烧写器的.fw文件程序数据与芯片
已经烧录好的程序数据不一致；
处理方法：
1、检查烧写和校验使用的fw文件是否一致；
2、确认当前芯片上一次烧录的时候是否烧录成功

res_verify

烧写完资源文件进行校验，或校验模式下进行资源文件校验，校验失败；
处理方法：
1、检查烧写和校验使用的fw文件是否一致；
2、多次尝试烧写/校验，看是否成功

mac_verify

烧写完蓝牙地址进行校验，校验失败；
处理方法：
多次尝试烧写，看是否成功，
如不成功，可能存在烧写器固件bug或者存在flash问题

auco_vy

烧写完认证码数据后进行校验，校验失败；
处理方法：
多次尝试烧写，看是否成功，
如不成功，可能存在烧写器固件bug或者存在flash问题

wp_verify

烧写完flash保护参数后进行校验，或校验模式下flash保护参数校验，校验失败；
处理方法：
1、检查烧写和校验使用的fw文件ini配置是否一致；
2、多次尝试烧写/校验，看是否成功

E04

key操作失败类

forbid-nil

烧写级别授权模式的用户模式下不允许烧空片;
处理方法：
检查芯片是否是空片

forbidrkey

烧写级别授权模式，rkey部分必须一致；
处理方法：
联系杰理技术支持检查rkey格式

forbid-key

烧写级别授权模式，芯片已经存在key与要烧写的key不一致，禁止烧写

key_file

key文件数据出错，一般不会出现此类问题

key错误

烧写模式下进行二次烧录，芯片key非空且不支持覆盖烧写，key不匹配；
处理方法：
1、主要是fw文件对应的key与原来芯片烧录的key匹配不上，
需要在download.bat加上与芯片对应的key文件；
2、确认芯片首次烧录是否是此fw文件的key；3、可能存在二级授权问题，或者efuse烧录不良问题

key_write

烧写key后进行进行key校验，校验不通过；
处理方法：
请多次重试观察烧录情况，并观察是否出现E04-key_check错误

key_verify

校验模式下，fw文件对应的key与原来芯片烧录的key匹配不上；
处理方法：
1、检查要校验的fw文件加载的key文件是否正确；
2、确认芯片首次烧录是否是此fw文件的key

key_diff

AC128N,AD16N在烧写lkey时，读取到的rkey与lkey匹配不上，或者没烧写rkey时先烧写了旧key导致rkey无法烧写；
处理方法：
1、是否是首次烧写；
2、检查是否已经烧写旧key

l3key_diff

AC128N,AD16N在校验lkey时，fw文件对应的lkey与原来芯片烧录的lkey匹配不上；
处理方法：
1、检查要校验的fw文件加载的key文件是否正确；
2、确认芯片首次烧录是否是此fw文件的key

l3key_error

AC128N,AD16N在烧写lkey时，读取到芯片lkey与fw的lkey匹配不上;
处理方法：
1、检查要校验的fw文件加载的key文件是否正确；
2、确认芯片首次烧录是否是此fw文件的lkey

r3key_error

AC128N,AD16N在校验rkey时，读取到芯片rkey与部署的rkey匹配不上;
处理方法：
1、是否是首次烧写；
2、确认芯片首次烧录是否是此rkey

l3key_nblank

AC128N,AD16N在烧写rkey时，读取到芯片的lkey不为空;
处理方法：
1、是否是首次烧写；
2、非首次烧写是否还需要继续使用烧写过的fw继续烧写

r3key_nblank

AC128N,AD16N在烧写rkey时，读取到芯片的rkey不为空且与部署的rkey匹配不上;
处理方法：
1、是否是首次烧写；
2、确认芯片首次烧录是否是此rkey

E05

文件失败

烧写器获取不到PC传给烧写器的256/4096对齐程序文件数据； 一般不会出现此类错误

E07

芯片测试项不过类等

不良率低重复烧录测试稳定复现，当不良片处理；不良率过高及时反馈联系杰理技术支持

sfc_test

sfc测试项异常：通过sfc模块高速读取flash数据，筛选特定频率条件下校验不通过的芯片

rx_test

rx测试项异常：测试芯片LNA电流，筛选芯片LNA内部晶体管受损芯片；，
筛选表现接收距离短，存在连接问题的芯片

btpll

btpll测试项异常：测试本地振荡器产生的本振频率（载波）是否正确，
筛选蓝牙模块相关参数不达标即BTPLL异常芯片

ram_test

ram测试项异常：用于筛选芯片ram模块异常，表现为不开机，开机异常的芯片

iqtrim

iqtrim测试项异常：测试芯片发送到接收通路功能是否正常，筛选收发通路异常芯片

loop_back

loop_back测试项异常：筛选LNA/PA电流异常、BTPLL损坏失锁，蓝牙相关异常芯片

dacvdd

dacvdd测试项异常：筛选封装混料，导致dacvdd异常芯片

umdc

umdc测试项异常：配合LOOP_BACK进行测试，筛选蓝牙相关参数不达标芯片

dac

dac测试项异常：进行DAC模块各项电压测试用于筛选DAC参数不达标的芯片

ighg

ighg测试项异常：用于筛选蓝牙性能参数不达标的芯片

fdiv

fdiv测试项异常：用于筛选浮点除法器异常芯片

io_test

io测试项异常：用于筛选打线有交丝风险即芯片IO异常的芯片

dc_err

DC测试项异常：用于筛选DCVDD电源域下LDO挡位异常的芯片

bias_err

bias测试项异常：测试LNA_BIAS电压差，筛选蓝牙参数指标不达标的芯片

osc_adet_U

晶振振幅测试项异常：测试晶振振幅特性，晶振振幅测试项异常的芯片

otp_blank

此芯片otp已经被烧过数据，芯片非空

lrc_trim

芯片的lrc时钟偏差过大，需联系杰理另行分析

otp_verify

芯片otp数据校验出错,可能原因为：
1、fw文件的数据与上次使用的fw文件不一致；
2、烧录座接线异常或用错座子，导致校验时候数据信号异常

otp_burn

芯片otp烧录时出现异常，或者烧录完成后校验数据出错

burn_vol

芯片的供电电压偏差过大，可以检查测量芯片的IOVDD和VBAT电压是否在正常范围内，或者部分芯片OTP烧录8.5V是否偏差过大

xxx nA

进行软关机功耗测试，实测值大于部署fw文件时配置的“功耗测试”卡值时，显示屏显示实测值xxx nA，表示测试不通过

E08

烧写失败

程序数据烧写后进行校验，校验不通过；
可能原因：
1、芯片和烧写器通信异常；
2、芯片ram、flash问题；
3、isd_config.ini的SPI=2_3_0_0;参数与芯片flash不匹配
处理方法：
1、多次重烧，并检查烧录接线，机台接触问题，检查isd_config.ini的SPI=2_3_0_0;参数与芯片flash是否匹配；
2、尝试进行芯片测试项测试，观察测试结果

E09

操作超时

根本原因为烧写器与芯片无法通信上；
可能原因：
芯片时钟异常，串口通信异常，flash擦除超时，烧写程序跑死等情况；
处理方法：
多次重烧，并检查烧录接线，机台及芯片接触问题；或尝试更换芯片

uart_ot/read_basic

通过串口读芯片基本信息超时，可能原因:
1. 烧写器与芯片串口通信异常;如烧录sop芯片出现此个报错：通信线不宜过长，增加地线，注意电源滤波；
2. 当前烧写的是免晶振方案，烧写转接板不带晶振，烧写时未勾选【免晶振方案】选项。
3. 烧写是带晶振的，但是晶振频率不对，或者转接板晶振未焊接好。或者如果只是烧写中少部分芯片报该错，则可能该芯片本身存在问题。
4. 其它一些可能原因引起

erase_ot

擦除flash超时
可能原因：
flash异常，等待忙标志超时；flash容量过大且擦除时间过长 ；

write_ot

写flash超时，原因:烧写器与芯片串口通信异常，芯片端接收不到要烧录的数据；

verify_ot

校验flash超时，原因:烧写器与芯片串口通信异常，烧写器获取不到校验结果；

ram_ot

测试ram过程程序跑死，导致烧写器与芯片串口通信异常；

ictest_ot

测试项有几率跑飞因此无法按时回复烧写器，
处理方法：取消勾选全部测试项，逐项测试找到在哪一项超时报错

pc_start

PC通过RS232串口控制蓝牙地址烧录，PC与烧录器串口通信超时

mac_get

PC通过RS232串口控制蓝牙地址烧录，PC与烧录器串口通信超时

pc_end

PC通过RS232串口控制蓝牙地址烧录，PC与烧录器串口通信超时

mac_write

PC通过RS232串口控制蓝牙地址烧录，烧录器与芯片串口通信超时

mac_verify

PC通过RS232串口控制蓝牙地址烧录，烧录器与芯片串口通信超时

E10

校准异常

芯片电压，免晶振方案lrc时钟等校准值不达标，或校准值写入存储介质失败；

charge_cfg

ini配置的充电电流档位，充满档位，功耗卡值不符合规范

chg_select

ini配置的充电电流档位校准不到配置的电流值范围

chg_trim

校准出来的充电电流档位偏差过大，超过配置的中心值范围正负2档

charge_ot

调整充电电流档位时，烧录器与芯片通信异常

E15

容量不对

fw烧写程序文件数据容量大于Flash容量；
处理方法：
1、编译生成fw文件时候查看实际程序数据需要flash容量的大小;
2、检查烧录是否存在不同批次混烧情况，即同时存在256或4096对齐芯片而4096对齐芯片可能出现容量不够的情况；

E17

电源电压异常类

VPP异常

烧写器给芯片供电时，烧写器输出给上层板或者转接板的6.5V电压偏差太大，
偏差不在6.45V~6.75V会报VPP异常;
处理方法：
请用示波器测量6.5V电压，或尝试更换CAT5171器件

vddio_vol

烧录芯片时芯片vddio电压超过3.8V；
处理方法：
1、检查芯片是否与电源存在短接的情况；
2、部分芯片vddio与电源内部绑一起的芯片，请使用专用座子3.3V供电

E18

电流异常

待烧录的芯片上电电流超出设定值（50mA）；
处理方法：
1、检查芯片接触，烧录座可能存在短路情况；
2、芯片本身不良，可尝试更换芯片

E19

功能异常

芯片执行开始烧写，校验，查空时报此此错误，原因为设置的模式非烧写、校验、查空三种工作模式；
处理方法：
1、检查设置的工作模式是否正确；2、检查拨码开关是否接触不良导致烧写器检测出错；

E21

version:X

更新到烧写器的fw文件（.ini文件配置）所指定的芯片版本与当前要烧写的芯片版本（X）不匹配；
处理方法：
（参考：版本不匹配错误）

E24

read_efuse

读取efuse硬件存储介质超时，或读取到的数据异常；一般不会出现此类错误

E24

en_act

LVD或专家模式配置烧录时，首次烧录与二次烧录配置的TRUE/FALSE值不相同，可参考进行配置如何在生成烧录文件时设置专家选项

E24

lvd_rst

LVD或专家模式配置烧录时，首次烧录与二次烧录所选的LVD电压档位值不相同，可参考进行配置如何在生成烧录文件时设置专家选项

E24

lvd_level

同en_act

E24

lvd_act

同en_act

E24

iov_act

同en_act

E24

iovdd_lel

LVD或专家模式配置烧录时，首次烧录与二次烧录所选的IOVDD电压档位值不相同，可参考进行配置如何在生成烧录文件时设置专家选项

E24

mclr_en

同en_act

E24

fast_pu

同en_act

E24

pinr_en

同en_act

E24

mfast_pu

同en_act

E24

run_flash

同en_act

E24

skip_flash

同en_act

E24

sfc_fast

同en_act

E24

f_power

同en_act

E24

wiovdd_lel

LVD或专家模式配置烧录时，首次烧录与二次烧录所选的弱IOVDD电压档位值不相同，可参考进行配置如何在生成烧录文件时设置专家选项

E24

mclr_dis

同en_act

E24

maskrom_use

同en_act

E24

f_1v8_s

同en_act

E24

sfc_boot

同en_act

E24

anc_en

同en_act

E24

dcvd_load

同en_act

E24

xosc_init

同en_act

E24

xosc_pin

同en_act

E24

flash_io

同en_act

E24

flash_sel

同en_act

E24

xosc_ext

同en_act

E24

charger_en

充电使能烧录失败；可能原因：
1、非空片烧写，原来烧录的PC界面“充电使能”勾选配置与当前的勾选配置不一致；
2、硬件存储介质烧录异常

E28

查空失败类

查空失败

芯片flash非空，有数据但数据不完整即找不到对应fw的crc校验码

key_blank

芯片key非空，芯片已经被烧录过key数据

CRC16：xxxx

芯片flash非空，对应上次烧录的fw文件校验码为xxxx

E29

efuse.bin操作失败类

chip_id_b

B版本芯片不支持烧录该fw文件对应的efuse.bin文件(长度不对)

chip_id_c

C版本芯片不支持烧录该fw文件对应的efuse.bin文件(长度不对)

ini_no_cfg

下载目录.ini文件[BURNER_PASSTHROUGH_CFG]
没有配置REQUIRE_TARGET_FEATURE=FLASH/EFUSE;
处理方法：
重新配置

sdk_bit_wr

FLASH/ROM模式下对应的硬件存储位烧录失败；
处理方法：
确认当前是否是空片烧录，上一次是否烧录了另一种模式

ef_bin_wr

efuse.bin文件数据烧写到硬件存储介质失败；
处理方法：
确认当前是否是空片烧录，上一次是否烧录了不同的fw文件

sdkbit_vy

FLASH/ROM模式对应的硬件存储位校验失败；
处理方法：
检查ini FLASH/ROM模式 是否配置成上次烧录的模式

sdkbit_bl

FLASH/ROM模式对应的硬件存储位非空

ef_bin_bl

efuse.bin对应的硬件存储位非空

E31

内存错误

epprom记录数据出错；
处理方法：
对烧写器重新上电开机后重试，不行则更换epprom芯片

E33

长按/短按复位使能类

XXXresetw

XXX为芯片引脚:如PA7/PB1/PB10/PC1， 长按/短按复位使能对应硬件存储位烧写失败
保证二次烧录与第一次烧录的配置是一致的
勾选和不勾都配置过，则为efuse不良

XXXresetv

XXX为芯片引脚:如PA7/PB1/PB10/PC1，长按/短按复位使能对应硬件存储位校验失败
保证二次烧录与第一次烧录的配置是一致的
勾选和不勾都配置过，则为efuse不良

E34

lvd操作失败类

lvd_match

PC工具选择的lvd档位烧写器列表不存在；一般不会出现此类错误

lvd_write

lvd档位烧写失败；可能原因：
1、非空片烧写，原来烧录的档位与当前配置要烧写的档位不一致；
2、硬件存储介质烧录异常

lvd_verify

lvd档位校验失败；可能原因：
原来烧录的档位与当前配置要校验的档位不一致；

lvdInvalid

PC工具配置的lvd档位无效，默认LVD2.6V烧录F-G版本芯片时，会提示E34-LvdInvalid；
AC696X/AC636N型号：
A-E版芯片可烧录的档位有：1.9V;2.0V;2.1V;2.2V;2.3V;2.4V;2.5V;2.6V；
F-G版本芯片可烧录的档位有：<1.5V;1.9V;2.0V;2.1V;2.2V;2.3V;2.4V;2.5V

die_case

PC工具勾选die配置项，烧录lvd失败；
可能原因：
1、非空片烧写，原来烧录的档位与当前配置要烧写的档位不一致；
2、硬件存储介质烧录异常

flvd:xxx

xxx:为芯片flash 最低工作电压；
处理方法：
（1）配置大于等于该显示值的lvd电压档位，重新部署fw文件进行烧录；
（2）没有大于该显示值的建议选择最大的lvd电压档位，去掉“Flash Lvd电压匹配”勾选项，重新部署烧录

fl:xxxxxx

xxxxxx:芯片flash id 为xxxxxx，lvd和flash工作电压参数库不存在该flash id的参数
处理方法：
（1）去掉“Flash Lvd电压匹配”勾选项，重新部署烧录；
（2）反馈杰理技术支持

E37

读id失败

待烧写的目标芯片读取不到flash id；
可能原因：
1、芯片不存在flash；2、多次尝试烧录报错，则为flash异常

E38

otp_w1_err

AC128N,AD16N otp 查空成功下，烧写->倒序校验一失败

otp_w2_err

AC128N,AD16N otp 查空成功下，烧写->倒序校验一->倒序校验二失败

otp_w3_err

AC128N,AD16N otp 查空失败下，倒序校验一失败

otp_verify

AC128N,AD16N otp 倒序校验一失败

otp_blank

AC128N,AD16N otp 数据非空, 查空失败

E42

efcfg_w_err

AC128N,AD16N 硬件储存相关配置烧写失败;
可能原因：
1、非空片烧写，当前使用的fw的ini配置与上一次烧写的fw的ini配置不同；
2、硬件存储介质烧录异常

efcfg_v_err

AC128N,AD16N 硬件储存相关配置校验失败;
可能原因：
1、非空片烧写，当前使用的fw的ini配置与上一次烧写的fw的ini配置不同；
2、硬件存储介质烧录或读取异常

ef_r_diff

AC128N,AD16N 硬件储存相关配置严格校验失败;
当不良片处理；不良率过高及时反馈联系杰理技术支持

E44

xxxxxx

烧写器不支持flash id为xxxxxx的芯片给flash添加写保护参数;
处理方法：
1、ini配置项去掉改功能（OTP_CFG_SIZE=512;）；2、反馈杰理技术支持

E46

lrc_wflash

免晶振方案的lrc时钟校准值，校准后校准值写到flash指定位置失败；
处理方法：
反馈杰理技术支持

E49

查空溢出

查空次数已经用完，最大查空次数限制为50次，
避免量产烧写时误拨到查空模式；如需要继续查空则可以对烧写器重新上电

E51

证书耗尽

导入的认证码烧写个数已经用完；
处理方法：
重新导入需要烧写的认证码序列号

E54

运行失败

开启授权功能后，授权模块程序运行失败；
处理方法：
1、检查该烧写器是否支持授权功能；2、反馈给杰理技术支持

E55

匹配失败

fw文件对应的授权机器码匹配失败；
处理方法：
检查fw文件是否是使用当前烧写器授权的，请阅读<授权烧写次数限制功能>章节

E56

更新失败

授权模块记录烧写次数失败；
处理方法：
1、尝试对烧写器重新上电；2、反馈给杰理技术支持

E57

次数溢出

授权次数已经用完，这时对应的fw文件需要重新授权次数才能在此个烧写器继续烧录；

E58

多算法授权功能授权失败

custom_data

多算法授权配置信息写到flash失败；
处理方法：
反馈给杰理技术支持

auth_run

多算法授权文件.authrun文件运行失败；
处理方法：
反馈给杰理技术支持

auth_write

多算法授权数据写到flash失败；
处理方法：
反馈给杰理技术支持

bss_size

多算法授权.authrun文件的对应的程序的bss段空间过大；
处理方法：
缩减bss段空间

id:xxxxx

不支持该芯片flash id的芯片进行多算法授权；
处理方法：
需要反馈给杰理技术支持，增加支持该flash id的芯片

buf_size

多算法授权单个.authrun文件过大，导致无空间存放，最大12k；
处理方法：
修改算法工程，缩减代码空间

enc_data

多算法授权的算法数据长度过大，超过256；
处理方法：
缩减算法数据长度小于256

otp_lock

多算法授权不同算法文件的otp_lock标志不一致；
处理方法：
更改otp_lock标志一致

auth_run

多算法授权.authrun文件运行失败；
处理方法：
反馈给杰理技术支持

data_check

芯片中已经存在多算法授权数据，与当前要烧写的不一致；
处理方法：
PC界面勾选“多算法强制更新”选项

auth_write

多算法授权数据写到flash失败；
处理方法：
，观察不良比例，反馈给杰理技术支持

work_mode

该芯片型号暂不支持单独烧录多算法授权数据
处理方法：
，加载同程序数据一起烧录，或反馈给杰理技术支持

otp_da_ot

查空工作模式下，读取otp算法数据格式超时

otp_da_err

查空工作模式下，已经烧录到芯片的otp算法数据格式错误

“d:x”

该报错为查空模式下出现，其中
d：表示芯片存在d个合法的授权数据；
x表示第一个授权数据的校验码+客户ID+数据长度：
u32 u8Crc: 8 + u32 u12Id: 12 + u32 u12len: 12;

E59

sdk_ver

该fw文件对应sdk版本，与要烧写的芯片-flash id不匹配

E60

dacos测试失败类

dacos_init

dacos测试模块cs1237芯片初始化失败；
可能原因：
PC勾选了DACOS测试项，但是烧录座无DACOS测试电路或测试电路存在异常

dacos_test

PC工具勾选配置了DACOS测试项，烧录过程对DACOS进行测试，
芯片DAC二极管特性异常为需要筛选出来的芯片

E61

level init

烧写级别授权初始化错误；
处理方法：
反馈给杰理技术支持

E62

烧写级别授权次数溢出

授权次数已经用完，这时对应的fw文件需要重新授权次数才能在此个烧写器继续烧录；

其它报错

E63

err_ft

芯片flash进行ft测试项测试失败，可能flash存在异常；
处理方法：
，观察不良比例，反馈给杰理技术支持

E64

priv_nocfg

芯片flash存在私有数据，但当前fw文件没有配置带私有数据授权功能

E64

priv_err

芯片flash存在私有数据，但当前fw文件私有数据授权的flash地址，数据长度不一致

E69

LDOIN ERR

这是一个非必要测试项对应的错误，
该测试项要求烧写顶板或转接板使用VBAT供电，并且板子的LDOIN脚的电容修改为102，
没有进行上述修改会出现这项报错，
若不想修改，也可以通过取消配置中的LDOIN TEST避免报错。

E72

DC ERR

这是DC TEST勾选项对应的错误，报此类错误的当坏片处理

E35

NOT_FOUND

AC531N 支持 efuse 按授权烧录,.tkn文件解析出错，可能存在格式问题；
处理方法：
反馈给杰理技术支持

PERMITTED

efuse允许烧录的位与配置的位不匹配，烧写器不允许烧录；
处理方法：
1、检查efuse.bin对应配置；2、反馈给杰理技术支持

AC98N烧录失败

E03

flash_vy

AC98N 进行trim过程，校验芯片flash的trim代码失败 ，需要进一步分析

E06

otp_ver

AC98N 进行flash烧录过程，当前芯片otp版本与fw文件所需要支持otp版本不匹配，不允许烧录

E07

trim_burn

AC98N 进行trim过程，进行trim过程，trim项校准不通过 ，需要进一步分析

E07

otp_blank

AC98N 进行otp烧录过程，芯片otp不为空，不允许烧录

E07

lrc_trim

AC98N 进行otp烧录过程，LRC值校准出错，需要进一步分析

E07

otp_burn

AC98N 进行otp烧录过程，烧录otp数据异常，需要进一步分析

E07

otp_verify

AC98N 进行otp烧录过程，烧录otp数据后校验不通过

E08

flash_wr

AC98N 进行trim过程，烧录trim代码到芯片失败 ，需要进一步分析

E25

lvd_verify

AC98N 进行flash烧录过程，首次烧录所选的lvd档位和二次烧录所选的lvd档位不同

E37

flash_id

AC98N 进行trim过程，读不到flash id，一般为flash异常

E45

uart_comm

AC98N 进行trim过程，烧录座AC632N与芯片串口通信失败