2.6. 状态指示和报错提示说明
2.6.1. LED指示灯说明
2.6.1.1. 电源指示灯
烧写器接入9V电源后,往右拨控制总电源的钮子开关,烧写器上电,电源指示灯亮起来,如电源指示灯所示。
2.6.1.2. 烧录状态指示灯
烧录状态指示灯指8个烧写器通道的led状态指示灯,如烧录状态指示灯所示。
状态指示灯说明
编号 |
状态类型 |
红灯 |
绿灯 |
---|---|---|---|
1 |
初始状态 |
灭 |
灭 |
2 |
正在烧录 |
灭 |
亮 |
3 |
烧录成功 |
亮 |
亮 |
4 |
烧录失败 |
亮 |
灭 |
2.6.2. LCD显示屏说明
2.6.2.1. 上电开机显示
烧写器上电开机显示界面,会显示有3S的杰理LOGO,客户编号,设备标识,烧写器固件版本号和版本发布日期,如烧写器上电开机界面所示。
2.6.2.2. 正常界面显示
烧写器正常界面处于等待样机接入状态,主要显示fw文件可用烧写次数和剩余烧写次数,当前烧写器工作模式,fw文件信息和烧写器配置信息,8个烧写通道进度条信息显示部分,如烧写器正常界面显示所示。
如果使用了蓝牙地址自增、认证码烧写等功能,还会在8个烧写通道信息显示部分显示当前通道可用的蓝牙地址,认证码序号等信息。
2.6.2.3. 烧写进度条显示
各个烧写通道进度条颜色和信息显示说明如下表格所示。
编号 |
当前状态 |
进度条颜色 |
信息显示 |
---|---|---|---|
1 |
正常状态/等待烧写 |
灰色 |
Ready、当前待烧录的蓝牙地址等 |
2 |
正在烧录 |
蓝牙 |
Erase、write、verify、finish |
3 |
烧录成功 |
绿色 |
Success+烧录时间等 |
4 |
通道异常/烧录失败 |
红色 |
报错提示信息 |
5 |
换板时间过短 |
黄色 |
上次烧写成功 |
2.6.3. LCD显示屏报错提示说明
烧写器在上电开机进行各模块软件初始化和样机芯片程序烧写过程中,可能会出现一些异常情况,这些异常都通过LCD显示屏显示在对应的烧写通道上。
上电开机和烧写过程中出现的部分异常,需重新给烧写器上电才能消除显示屏上的异常,其它异常一般样机芯片不在线即可消除。
以下通过表格形式列举LCD常见错误提示,以及对错误提示说明。
错误提示 |
错误提示说明 |
---|---|
02-通信失败 |
可能为样机芯片接入烧写器USB接口存在松动、接触不良;多次重新烧录都 |
03-校验失败 |
需校验的程序与目标芯片程序或key文件不一致; |
04-KEY错误或不匹配 |
空片烧写,key烧写到目标芯片失败,key烧录不良; |
04-ufw不支持空片烧写 |
ufw 文件只能用于已经烧过key的芯片进行重烧使用(不支持烧录空片)。 |
06-版本不匹配_(目标芯片的版本) |
待烧写的FW文件程序与芯片的版本不匹配(参考:版本不匹配错误), |
06-SDK版本错误_VX_X_X |
该报错暂时只有AD698N、AC638N型号存在, |
07-擦除失败 |
该报错一般出现在flash擦除环节,提示擦除失败,可能为芯片flash存在问题。也可能是接触不良,通信出错导致擦除失败; |
08-烧写失败 |
烧写程序时样机与USB烧录接口接触不稳定等原因导致烧写数据异常 |
09-ERR_IQ_TRIM |
该报错是芯片蓝牙测试项不过,可能芯片蓝牙性能存在问题,如果重试多次,仍报错,须进一步分析 |
10-采样异常,请重试 |
出现该报错,可以尝试重新烧写,一般提示该错误跟板子外围电容充放电等影响ADC采样导致测试出现错误,该报错一般板子和芯片都是正常的 |
11-RX(实测的电流值)(uA) |
测试芯片LNA电流,筛选芯片LNA内部晶体管受损芯片;筛选表现接收距离短,存在连接问题的芯片 |
12-样机电流异常 |
样机插入USB烧写接口后,导致USB端口电流过大; |
14-DAC测试失败 |
进行DAC模块各项电压测试用于筛选DAC参数不达标的芯片 |
15-VDDIO:(实测电压)(mV) |
芯片VDDIO引脚电压超过设定值3800mV, |
15-VDDIO错误 |
报错同15-VDDIO:(实测电压)(mV)一致 |
15-容量太小_XX_XXXXX |
待烧写的程序fw文件数据比目标芯片flash的容量要大,无法进行烧写 |
16-SFC错误 |
烧写时进行SFC模式下的程序数据校验,多次烧录不过芯片可视为不良片 |
17-频偏校准超时 |
没有开启测试盒进行测试,测试盒和烧写器“校频波频点配置”参数不一致,或者芯片频偏校不到指定范围 |
18-蓝牙地址已用完 |
设置蓝牙地址自增烧写时,所设置蓝牙地址段范围值已经全部使用完 |
蓝牙地址初始化失败 |
蓝牙地址设置有误;可能是一次性设置了过大的蓝牙地址范围(超过 u32 范围) |
19-模式错误 |
样机芯片开始烧写,校验,查空时报此此错误,为拨码开关设置的模式非烧写。 |
20-LRC校准失败 |
对无晶振方案样机,芯片LRC时钟参数校准不到指定范围内,需进一步分析 |
25-芯片未校准 |
表示该芯片出厂未经过校准, |
21-RAM测试失败 |
目标芯片ram异常为需要筛选出来的芯片 |
22-MIC测试失败 |
目标样机MIC存在异常如无声音等 |
23-不支持该LVD档位XXXX |
表示待烧芯片不支持烧录该LVD档位值。 |
25-芯片未校准 |
芯片可能出厂一些电压没有校准,此时一般需要使用一拖二烧写器使用带校准的上层板子或转接板进行校准 |
26-ERR_FMLDO_OPEN |
进入蓝牙相关FM电源测试时出现异常,进而导致USB通信出错 |
27-ERR_FMLDO_CLOSE |
进入蓝牙相关FM电源测试时出现异常,进而导致USB通信出错 |
28-获取保留区出错 |
当配置flash不整片擦除时,烧写计算需要保留的区域出现错误,可反馈给杰理工程师进一步分析 |
29-擦除FLASH出错 |
当配置flash不整片擦除时,对flash特定区域擦除时出现错误,出现该报错须进一步分析 |
30-Res文件烧写失败 |
表示自定义资源文件烧写失败,可能在烧写该部分时出现读写异常,或者USB通信异常 |
31-SFC测试通信失败 |
可能为进行SFC测试时,读异常,导致USB通信超时,出现该报错,可能flash存在异常 |
32-算法授权文件烧写失败 |
用于算法授权的相关部分数据烧写失败 |
33-Res文件校验失败 |
表示自定义资源文件校验失败 |
34-LVD错误或不匹配 |
可能为芯片空片烧写时,LVD电压值写入芯片存储介质失败; |
35-写入频偏校准值失败 |
芯片烧写时开启频偏校准 ,校准的值写入到芯片失败,失败可以尝试重试 |
36-ERR_FLASH_CHECK |
flash擦除检查失败,如果报该错,可能芯片flash存在异常,须进一步分析。 |
37-读ID失败 |
读取目标芯片flash id失败; |
38-ERR_LNA_OPEN |
进入蓝牙LNA电流测试时出现异常,进而导致USB通信出错 |
39-ERR_LNA_CLOSE |
进入蓝牙LNA电流测试时出现异常,进而导致USB通信出错 |
40-外挂FLASH烧写失败 |
样机外挂flash烧写失败,可能为外挂flash 烧写文件io配置与实际硬件连接不一致导致,或者外挂flash烧写时电源问题引起。 |
41-外挂FLASH校验失败 |
外挂flash数据与烧写文件数据不一样 |
49-查空次数已用完 |
烧写器每次开机后,每个通道有限制查空可以使用次数为200次,查空成功次数满200后,则烧写器会会提示查空次数已用完。 |
57-授权次数已用完 |
经过授权限制烧写次数的FW文件,烧写次数已使用完,烧写器内的目标芯片程序fw文件作废 |
61-保护参数查找失败 |
isd_config.ini中配置 |
62-保护参数校验失败 |
可能为保护参数未能写入成功 |
63-保护参数测试失败 |
保护参数测试失败,保护参数无法正常使用。 |
63-保护参数测试超时 |
保护参数测试超时,保护参数无法正常使用。 |
63-保护参数测试冲突 |
保护参数与烧写配置冲突, |
64-读取FLASH BIN失败 |
提示该错误原因为ini文件中的配置问题,所生成的FW中只包含有256对齐的FLASH BIN(VM擦除最小操作单元为256字节), 而实际 |
65-长按复位选项不匹配 |
长按复位状态与需要烧写的状态不匹配 |
66-VM地址非法 |
需要保留或擦除的VM地址非法则报错,比如该地址大于flash容量,或者该地址与程序区域重合均会报错 |
67-ERR_CYPTO |
一般串口烧写时会报该错误,可能为串口通信错误导致,一般可出现在接触不良的时候 |
68-短按复位选项不匹配 |
短按复位状态与需要烧写的状态不匹配 |
69-外挂FLASH容量太小 |
在烧写外挂flash时,外挂flash id读取失败,可以导致提示容量小,或者待烧写到外挂flash的文件资源超过了flash的容量而提示错误 |
70-LNA_BIAS失败 |
与蓝牙相关的电流测试项失败,反复重烧均提示该错误,可能需要进一步分析 |
71-二次烧写失败 |
附加的一些功能数据烧写失败 |
72-电池方案错误 |
选项需要烧写的方案类型与芯片中已有的类型不匹配报错 |
73-非Dies芯片 |
Dies芯片一般时定制类型的芯片,如果提示该错误,可能是选择定制芯片配置无法烧录到当前芯片 |
76-ic_test_timeout |
芯片测试项测试超时,可以分别取消一些PC测试项勾选,以排查具体是哪个测试项导致的超时 |
81-CHIP_LVD(xx)< FLASH_LVD(xx) |
表示芯片最低复位电压(对应烧写器【LVD电压】下拉选项)小于FLASH最低工作电压, xx表示电压值,单位为mv; |
91-FMLDO:%d(uA) |
蓝牙相关联的FM等电压模块测试失败 ,重烧提示该错误须进一步分析 |
92-LOOPBACK失败 |
烧写时进行蓝牙性能相关的参数测试,参数不达标; |
93-USB不稳定,请重试 |
USB通信出现错误,请按照提示重试即可 |
94-DACVDD电压错误 |
芯片测试项报错,可以重试是否仍提示该错误,重试多次依然报错或者使用一拖二烧写器也提示该错误,可能芯片存在该项测试异常,须进一步分析 |
95-BTPLL测试通信出错,请重试 |
测试项报错,重试或者使用其它工具也报错,须进一步分析 |
96-BTPLL异常 |
测试项报错,重试或者使用其它工具也报错,须进一步分析 |
97-UMDC异常 |
测试项报错,重试或者使用其它工具也报错,须进一步分析 |
接收数据超时 |
该报错通常出现在前面一部分过程能正常通信烧录,在接近最后一步时提示该错误,该问题通常是因为样机芯片外围有较多大电容或其它 |
采样异常,请重试 |
进行样机电流测试时候,ADC采样异常,数据不合理; |
ADC Fail! |
ADC电流测试模块初始化异常,需检查电流测试模块供电,走线,芯片本身是否正常; |
烧写电压错误 |
如果远程升级后出现该错误,先不用理会,请部署目标芯片程序后重启烧写器看看烧写器是否工作正常,如不正常请咨询杰理技术支持 |
flash bin erro |
该报错一般出现在开机阶段,检查是否在烧写器开机初始化阶段中插入USB连接计算机,导致存储烧写文件的flash被升级占用而初始化 |
上次烧录成功 |
该样机上次烧写成功无需重烧,详情请见换板时间设置及使用说明 |
其它报错/常见不良 |
勾选某个测试项出现对应错误:烧写器新增某个芯片型号的测试项,用于筛选性能参数不达标的芯片; |