2.5. 各型号芯片PC端烧写配置项介绍

Note

如果希望把这些勾选项固定在 FW/UFW 文件中设置，避免每次部署重新选择，可以参考：如何在生成烧录文件时设置烧写选项

2.5.1. 打开并选择配置项

更新目标芯片烧写程序前，PC端更新程序控制界面有很多可选的或需要配置的配置项，正常情况下默认就好，但也可以根据客户需要进行选择。

例如参考《更新目标芯片程序到烧写器》节内容相关步骤。

打开 V3.0.3 2版本更新AC897N芯片程序的控制界面

可看到的配置项有换板时间、端口电流允许上限、USB端口电压、烧写前擦除整个FLASH、校准查询、RX电流测试、DAC、LVD电压、LgHg、蓝牙配置、电流测试项。

如芯片烧写配置界面所示。

加载目标芯片程序fw文件后对各配置项进行配置，点击部署即可更新目标芯片程序和配置信息到烧写器。

芯片烧写配置界面

Important

不同版本烧写器固件的配置界面可能不一致，请及时更新到最新的烧写器固件。

2.5.2. 各型号芯片常用配置项介绍

不同型号芯片的烧写配置项基本相同，不同芯片的配置项名字一致其实际作用也相同。

以下通过表格的形式对各个系列芯片的一些常用配置项进行介绍说明，烧写时可根据实际需要进行配置。

编号	配置项	配置项说明
1	换板时间	默认设置1000mS，指当前通道烧录成功样机掉线开始到下次开始烧录的时间，小于设置的时间当通道不能进行烧录； 用途：量产时部分样机芯片烧录出错进行二次烧录时，减少对已经烧录成功样机芯片的重复烧录
2	端口电流允许上限	可设范围：0~300mA，默认设置100mA； 用途：样机插入烧写器USB烧写接口时消耗的电流值大于设定值，烧写器软件关闭USB端口电源以保护烧写器硬件电路
3	USB端口电压	可设范围:3.2V~6.3V; 用途：根据不同样机芯片所需要的烧写电压进行配置
4	烧写前擦除整个FLASH（内置FLASH）	默认勾选；勾选，芯片是空片或已烧有程序的非空片都会对FLASH进行擦除操作； 不勾，空片时不对FLASH擦除操作；该选项控制芯片FLASH的是否擦除
5	校准查询	默认勾选； 勾选，烧写时进行芯片的ADC基准源校准参数查询， 芯片如未校准则报错不能继续烧写以免影响实际使用；
6	RX电流测试	勾选，进行蓝牙接收性能测试用于筛选出蓝牙接收参数不达标的芯片
7	DAC	勾选，进行音频DAC模块性能测试用于筛选DAC相关参数不达标的芯片; DAC有相关参数配置项，一般默认
8	LVD电压	配置芯片低电复位的电压值，二次烧写要配置成相同值否则报错不能继续烧写，选择时请结合实际方案和SDK说明进行配置LVD电压
9	LgHg	配置参数默认就好；进行蓝牙性能测试，实测参数比设置值小时会报错，用于筛选蓝牙性能不达标的芯片
10	蓝牙配置	更新蓝牙地址：勾选，并输入蓝牙地址范围，烧写芯片时从最小地址按照递增的形式把设置范围内的蓝牙地址烧写到每颗芯片中去； 覆盖蓝牙地址 ：   勾选，如芯片内已经烧写有蓝牙地址数据将会被覆盖再烧写一个新的蓝牙地址到芯片。   不勾选，如芯片内已有蓝牙地址则使用已经有的避免重烧时浪费蓝牙地址， 更新蓝牙名字 ：在SDK开发中可将蓝牙地址按照指定的格式添加到蓝牙名上，可以实现蓝牙名自增 请参考《蓝牙地址及名字自增功能》节内容；
11	电流测试项	可进行上电、开机、待机、关机电流测试，设置正常电流范围值，烧写时筛选电流不达标的芯片； 请参考《电流功耗测试功能》节内容；
12	SFC校验	根据开发方案选择音箱方案或其他方案， 烧写时在所选方案使用的电压测试条件进行SFC模式下的程序数据校验， 用于筛选程序数据校验不过的芯片
13	免晶振方案（LRC_TRIM）	勾选，对无需外挂晶振的芯片进行LRC时钟校准，使用芯片LRC时钟源作为系统时钟
14	USB/ISP	勾选，通过ISP模式进行程序烧写，解决烧写时烧写器检测或识别不到样机插入的问题
15	IQ_TRIM	勾选，进行蓝牙相关校准参数测试
16	电池方案	根据芯片使用的电池类型对应工作电压，配置芯片低电复位的LVD电压值； 可选择： 锂电池（3.0V~4.4V），对应的LVD电压2.3V; 两节干电池（1.8V~3.2V）,不使能LVD低电复位功能； 纽扣电池（2.2V~3.6V），对应的LVD电压1.8V; （配置的值烧写为OTP一次性烧写，选择一个方案烧写后不能选择其他方案再次烧写，请慎重选择）
17	样机带电池	勾选，可以对已经焊接电池的成品样机进行程序烧写；请参考《样机带电池烧录》节内容；
18	LOOPBACK	勾选，进行蓝牙性能相关的参数测试，用于筛选参数不达标的芯片
19	短按复位功能	勾选，烧写相应配置值到芯片，使能芯片所对应引脚的短按复位功能； 该配置项为一次性烧写，请慎重选择
20	长按复位功能	勾选，烧写相应配置值到芯片，将使能芯片对应引脚的长按复位功能； 该配置项为一次性烧写，请慎重选择
21	强制更新认证码	勾选，非空片烧录时候如芯片内原来已烧写有认证码数据将会被覆盖再烧写一个新的认证码； 一般默认不勾选如芯片已有认证码则使用已有的避免浪费认证码； 请参考《第三方数据（认证码）烧写功能》节内容；
22	频偏测试	勾选，配合测试盒，在样机芯片程序烧写后进行频偏校准，省去样机单独进行频偏校准的步骤，提高生产效率； 请参考《频偏校准功能》节内容；
23	BTPLL	勾选，进行BTPLL时钟参数测试，筛选参数不达标芯片
24	裸片烧写	勾选，烧写直接打黑胶封装形式已经贴片的芯片：此类芯片LVD和VDDIO的电压档位不一样； 该配置项为一次性烧写，请慎重选择
25	DACVDD	勾选，用于筛选芯片DACVDD异常，有杂音的芯片
26	LNA_BIAS	勾选，进行蓝牙相关校准参数测试，筛选蓝牙相关参数不达标的芯片
27	USB筛选模式	有正常烧写，严格筛选模式，针对AC695X设计方案是否使用到USB引脚，来选择对应的模式，以筛选USB引脚有问题的芯片
28	RAM全面测试	勾选，全面筛选ram工作异常芯片
29	MIC测试选项	配置项较多，请参考《MIC 测试功能》节内容；
30	擦除VM	需要不勾选整片擦除选项才能选择该选项； 勾选后VM区域会被擦除 不勾选则VM区域会被保留
31	UMDC	蓝牙相关测试项，默认勾选
32	释放IO锁存	勾选后带电池升级过程会解锁IO状态，芯片全部IO状态会被重置为高阻态
33	擦除整个外置FLASH	该选项默认不勾选； 主要用于控制待烧写芯片方案： 既包含内置FLASH，又包含外置FLASH时，控制是否需要直接擦除整个外置FLASH； 情形一：当不勾选该选项，则检查FLASH是否为空，不为空则按照实际程序数据大小擦除 （因需要检查整个FLASH芯片是否为空，一些FLASH的擦除比读要快，有时选择整片 擦除反而要比不整片擦除快，所以按照实际情况决定是否勾选）。 情形二：当勾选该选项，则不检查FLASH是否为空，直接在烧写前擦除整片FLASH。 情形三：当方案所用芯片无内置FLASH，仅仅只有外挂FLASH，那么该FLASH相当于内置FLASH，其擦除行为受【烧写前擦除整个FLASH（内置FLASH）】选项控制。
34	关闭HD1(端口1-8)	该选项只影响一拖八烧写器的8个烧写用USB端口IO状态，主要用于部分治具环境下，样机放在治具上， 使用一拖八烧写时，出现无法识别烧写或者烧录最后环节失败超时，排查一拖八与样机通信连接线又无问题， 此时可以尝试勾选该选项，看是否可以解决该问题，一般情况下不需要勾选项该选项
35	Flash Lvd电压匹配	勾选，对芯片Flash支持的最低工作电压和所选择lvd电压进行匹配性检查； （1）如果所选lvd电压大于等于Flash支持的最低工作电压，允许烧录； （2）反之，不允许烧录，烧录器报错显示当前芯片flash最低工作电压 ； （3）如报错，请去掉勾选，根据需要选择需要的lvd电压档位，一般建议选择最高lvd电压档位进行烧录
36	参考源	该选项只在勾选免晶振方案（LRC_TRIM） 时才生效，当出现一些样机烧录无法识别或者通信失败时，可以尝试取消该选项进行烧录， 该参考源选项勾选或不选均不会影响烧录至芯片的配置及程序数据
37	是否烧写外部Flash	当烧写文件中除含有内置FLASH程序以外，还包含有外置FLASH数据及外置FLASH IO配置或只含外置FLASH IO配置时，部署界面 将出现是否烧写外部Flash，默认勾选并烧录外置FLASH，当取消勾选时将不会将外置FLASH数据部署至烧写器，因此也就不烧外置FLASH数据， 仅烧内置FLASH。 如果烧写文件，除内置FLASH程序，外置FLASH仅仅只有IO配置，该是否烧写外部Flash一般只能取消勾选
38	充电使能	它是芯片上电初始阶段VBAT的输出控制配置项，默认勾选该选项，有些方案因将VBAT与VDDIO连接在一起， 因此可能需要关闭上电起始阶段VBAT的电压输出，这时可能需要取消该勾选项烧录，具体需结合实际应用进行配置
39	USB_VCC	该选项默认为灰色无效状态，它包含两个下拉选择项，分别为ON和OFF，只有在勾选【样机带电池】或【USB-样机带电池】情况下才变为有效可选项， 用于设置带电池升级时，烧写器烧录端口电源是开还是关，具体需要开还是关，根据实际情况进行设置。如果是带电池升级， 需要USB电源口触发进入升级，这时应该设置为开的状态；有些样机很多元器件或者大电容，电流较大，则不宜开，此时 可以设置关闭或者将烧录端口电源线不接入样机