6.1. 常见isd_config.ini配置和烧录相关功能使用说明
更多详细的isd_config.ini 配置文件说明请参考: isd_config.ini 配置文件说明
6.1.1. 自定义资源文件烧写配置
要把isd_config.ini同级目录下的文件“anc_coeff.bin”,”anc_gains.bin”通过烧录器烧录到芯片flash指定位置, 参考如图配置如自定义资源文件烧写配置所示。
如果[RESERVED_CONFIG]段的资源超过6个,点击批处理后会报错! 把资源文件放置[RESERVED_EXPAND_CONFIG]段; 参考如图配置如超过6个自定义资源文件烧写配置所示。
Note
每个资源文件可用引用同一个文件名的文件;但是XXX_FILE的文件名不能相同!
可以修改如ANC0_ADR=AUTO;自动地址,[RESERVED_CONFIG]段选项详细说明,请参考《[RESERVED_CONFIG]段选项说明》小节
6.1.2. flash参数烧写和保护参数生效测试配置
1.工具版本更新 SDK需要支持支持OTP_CFG配置,相关工具需要更新到以下版本(或之后版本)。
工具 |
最低版本 |
说明 |
---|---|---|
isd_download.exe |
4.2.54 |
|
一拖二烧录器 |
2.27.7 |
|
一拖八烧录器 |
3.1.22 |
2.烧录器支持的型号和isd_config.ini配置
如下芯片,需要在isd_config.ini的[BURNER_PASSTHROUGH_CFG]配置段中增加FLASH_WRITE_PROTECT=YES配置,烧录时才写保护参数到flash和进行生效测试
[BURNER_PASSTHROUGH_CFG]
FLASH_WRITE_PROTECT=YES
芯片型号 |
isd_config.ini需要的配置 |
---|---|
AC632N、AE632N |
FLASH_WRITE_PROTECT=YES |
AC695X、AC635N、AC6083、AE695N |
FLASH_WRITE_PROTECT=YES |
AC696X、AC636N、AC608N |
FLASH_WRITE_PROTECT=YES |
AC706N |
FLASH_WRITE_PROTECT=YES |
AD14N、AC104N |
FLASH_WRITE_PROTECT=YES |
AD15N、AE15N |
FLASH_WRITE_PROTECT=YES |
AC700N、JL700N |
FLASH_WRITE_PROTECT=YES |
AC701N、JL701N |
FLASH_WRITE_PROTECT=YES |
如下芯片,需要在isd_config.ini的[EXTRA_CFG_PARAM]配置段中增加OTP_CFG_SIZE=512配置,烧录时才写保护参数到flash和进行生效测试
[EXTRA_CFG_PARAM]
OTP_CFG_SIZE=512
芯片型号 |
isd_config.ini需要的配置 |
---|---|
AW30N |
OTP_CFG_SIZE=512 |
JL703N |
OTP_CFG_SIZE=512 |
AC700N、JL700N |
OTP_CFG_SIZE=512 |
AC702N |
OTP_CFG_SIZE=512 |
AC706N |
OTP_CFG_SIZE=512 |
JL708N |
OTP_CFG_SIZE=512 |
AC82N,AD18N |
OTP_CFG_SIZE=512 |
AC129N,AD12N |
OTP_CFG_SIZE=512 |
AC701N、JL701N |
OTP_CFG_SIZE=512 |
3.烧录生成的.fw文件到芯片,写保护生效测试
把配置好带flash参数烧写功能的fw文件通过一拖二烧录器或一拖八烧录器烧录到芯片flash,
烧录过程烧录器对芯片flash的写保护功能进行一次写保护生效测试,测试通过才会允许烧录程序数据到芯片
烧录成功后,如SDK开启了打印,会打印如下图所示写保护功能生效的信息:
5.开发阶段启用flash写保护功能
如果需要在开发调试阶段启动FLASH写保护功能,请参考《开发调试阶段启用FLASH写保护功能》
6.1.3. 256和4096对齐文件生成配置
1.256和4096对齐文件介绍 市面上所有的norflash支持4K字节擦除的操作,但是有一部分还支持256字节擦除;所以我们的烧录文件在组织过程中支持按4K字节对齐或者256字节对齐;
烧录统一产品,可能芯片存在不同对齐方式的芯片;在下载固件过程中,下载工具会根据样机的FLASH支持的最小擦除单元,实时选择对齐方式组织FLASH数据,这个功能是可以关闭的。
其中,
(1)256k对齐:节省flash空间 (2)如果方案需要支持在线升级,那么升级前后的烧录文件对齐方式应保持一致
2.生成FW只包含4096的烧写文件ini配置。如红色框住所示
3.生成FW只包含256对齐烧写文件ini配置,如红色框住所示, 然后强制升级工具插入一个支持256擦除的Flash芯片型号,识别到之后再点击批处理生成即可。
4.如何强制生成256字节对齐的FLASH BIN 添加“SPECIAL_OPT=0”以及“AREA_ALIGN=1”配置项;不建议使用该方式!
SPECIAL_OPT=0;
AREA_ALIGN=1; // 此配置项离线时有效,即编译下载时不连接样机
#FORCE_4K_ALIGN=YES; // 如果有,必须注释掉这个配置
5.生成FW包含256和4096对齐烧写文件,去掉如下部分点击批处理生成即可。
#SPECIAL_OPT=0;
#FORCE_4K_ALIGN=YES; # 如果有,必须注释掉这个配置
6.1.4. 文件透传如efuse.bin烧写配置
isd_config.ini按如下添加需要烧录的“efuse.bin”文件,”efuse.bin存在isd_config.ini文件同级目录
[FW_ADDITIONAL]
FILE_LIST=(file=efuse.bin:type=0xee)
如图所示:
Note
FILE_LIST支持多个文件,如:FILE_LIST=(file=ota.bin:type=100),(file=efuse.bin:type=0xee)
AC702N、AC704N、AC705N、AC129N、AD12N需要配置FLASH模式还是ROM模式,配置如下所示:
[BURNER_PASSTHROUGH_CFG]
REQUIRE_TARGET_FEATURE=FLASH;//flash+efuse
#REQUIRE_TARGET_FEATURE=EFUSE;//efuse only
6.1.5. lrc校准值烧写入flash配置
免晶振方案的芯片,配置lrc校准值写入FLASH UBOOT区域(只有LRC时钟偏差超过千分之五才写入),参考如下
[SYS_CFG_PARAM]
LRC=-1; //配置,lrc校准值写入flash
6.1.6. 烧写器与SDK配置的芯片版本匹配
isd_config.ini按如图方式添加要支持的芯片版本(A~P版本)
[CHIP_VERSION]
SUPPORTED_LIST=A,B,C,D,M,N,O,P
如果烧录器烧录报对应版本的错误,原因可能:
1、可能是上述段没有添加支持该芯片版本
2、或者烧录器不允许该版本烧录
如需修改请联系杰理工程师 根据SDK实际情况支持该版本烧录
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