参数存储 VM 与保留区

本文介绍 AD24N SDK 中用于掉电参数存储的 VM（Volatile/参数存储）机制及其在 Flash 中预留的保留区设计，涵盖新版 VM（NEW_VM，支持预擦除）、旧版 VM（OLD_VM）、统一抽象层 vm_api.c、读写缓存、半区（double-block）格式整理与预擦除流程，以及 RTC、音量、音频校准等典型使用场景。

Purpose and Scope

本页聚焦"参数存储 VM 与保留区"这一完整能力，内容包括：

• VM 抽象层（sdk/app/bsp/common/vm/vm_api.c）：SYS_MEMORY_SELECT 编译期分发机制，以及 vm_read / vm_write / syscfg_vm_init 等统一接口；
• 新版 VM（new_vm.h + nvm_api.c）：半区式双块存储、位图管理、缓存（NVM_CACHE）、预擦除（nvm_erasure_next_api）与格式整理策略；
• 旧版 VM（vm.h）：基于 vm_hdl 句柄的设备式接口、VM_ERR 错误码与碎片整理（defrag）；
• 保留区：通过 syscfg_vm_init(addr, size) / nvm_init_api(addr, size) 在 Flash 中划定的参数存储区域及其生命周期管理。

以下内容属于兄弟页面、不在本页展开：Flash 驱动的 SFC 命令细节、通用文件系统（如 FATFS/私有文件系统）的目录与文件管理、电源管理与低功耗流程。关于 VM 使用的完整说明，可参见 SDK 文档"VM 掉电存储详细说明"章节（nvm_api.c 注释中多次引用）。

Overview

在 MCU 类产品（如玩具、语音播放设备）中，音量、RTC 时间、播放进度、音频校准值等参数必须掉电不丢失。若每次直接写 Flash 的同一地址，会因 Flash 擦写寿命（通常 1 万~10 万次）和"先擦后写"的原子性问题导致器件过早损坏或掉电时数据损坏。VM（参数存储）机制正是为解决这些问题而设计的一层键值型（id → data）掉电存储抽象：

• 磨损均衡：数据不是固定在某个地址，而是在保留区内顺序滚动写入（append-only），配合位图标记有效条目，延长 Flash 寿命；
• 掉电安全：采用**双半区（double-block）**结构，写满后整理到另一半区，避免单次断电破坏全部数据；
• 缓存加速：最近读写过的条目在 RAM 缓存（NVM_CACHE）中记录 id/偏移，减少 Flash 访问；
• 预擦除：新版 VM 支持在系统空闲时预先擦除后续会用到的区域，把耗时的擦除操作从关键路径（如正在播放音乐时）中移走，避免卡音。

SDK 通过 SYS_MEMORY_SELECT 宏在编译期选择使用新版还是旧版 VM，两者对上层暴露完全相同的 vm_read / vm_write 接口，业务代码无需感知底层差异。

Architecture

flowchart TD
    subgraph sg_App["应用层（业务/驱动）"]
        RTC["rtc.c（RTC 参数）"]
        TOY["toy_main.c（音量记忆）"]
        TRIM["audio_power_trim.c（VBG 校准）"]
        OTHER["其他 VM_INDEX_* 使用者"]
    end

    subgraph sg_Wrapper["VM 抽象层 vm_api.c"]
        VMAPI["vm_read / vm_write<br/>syscfg_vm_init / vm_pre_erase"]
    end

    subgraph sg_Dispatch["实现选择：SYS_MEMORY_SELECT"]
        NEW["新版 VM（new_vm.h + nvm_api.c）<br/>支持预擦除"]
        OLD["旧版 VM（old_vm.h 库）"]
    end

    subgraph sg_Storage["存储设备层"]
        SFC["SFC 设备（__SFC_NANE）"]
        FLASH[("SPI NOR Flash<br/>参数保留区（addr, size）")]
    end

    RTC --> VMAPI
    TOY --> VMAPI
    TRIM --> VMAPI
    OTHER --> VMAPI
    VMAPI --> NEW
    VMAPI --> OLD
    NEW --> SFC
    OLD --> SFC
    SFC --> FLASH

各层职责

• 应用层：业务代码与驱动通过 VM_INDEX_* 常量（见 vm.h 中的 VM_INDEX_BUFF 示例：VM_INDEX_SONG、VM_INDEX_ENG、VM_INDEX_VOL 等）以键值方式读写参数，不关心存储地址；
• 抽象层（vm_api.c）：把底层两套实现统一映射为 vm_read_api / vm_write_api / syscfg_vm_init_api / vm_pre_erase_api 四个宏；
• 实现层：新版 VM 由 nvm_api.c（应用侧封装）与 new_vm 静态库（new_vm_lib.a，核心算法）组成；旧版 VM 由 old_vm 库实现；
• 设备层：VM 通过 dev_open(__SFC_NANE, 0) 打开 SFC 设备（见 nvm_api.c），最终操作 SPI NOR Flash 中由 addr/size 划定的保留区。

为何这样分层

分层让业务代码与 Flash 实现解耦：切换存储介质（NOR→NAND/EEPROM）或升级 VM 算法时，只需替换实现层并保持 vm_read / vm_write 语义不变。SYS_MEMORY_SELECT 的编译期选择（而非运行时判断）保证零额外开销，且允许在未启用 VM 时退化为返回 -1 的空实现。

新版 VM（NEW_VM）实现详解

新版 VM 是当前 SDK 的推荐实现（SYS_MEMORY_SELECT == USE_NEW_VM），其核心特点是双半区 + 位图 + RAM 缓存 + 预擦除。应用侧封装在 sdk/app/bsp/common/vm/new_vm/nvm_api.c，核心算法封装在 new_vm_lib.a 静态库中，对外暴露的头文件是 new_vm.h。

核心数据结构

typedef struct __nvm_entry {
    u16 id;
    u16 rw_cnt;
    u32 offset;
} NVM_ENTRY;

typedef struct __nvm_cache {
    u16 rw_cnt;
    u16 number_entry;
    NVM_ENTRY *entries;
} NVM_CACHE;

NVM_ENTRY / NVM_CACHE 定义

NVM_ENTRY 是缓存表项：id 为参数索引（即 VM_INDEX_*），rw_cnt 为读写计数，offset 为条目在 Flash 保留区中的偏移。NVM_CACHE 则是整张缓存表的描述符，number_entry 固定为 NVM_CACHE_NUMBER（6），entries 指向静态分配的 g_nvm_entry[6]。

typedef struct __new_vm_obj {
    void *device;
    NVM_CACHE *cache;
    u32 addr;
    u32 reserve : 7;
    u32 bool_block : 1;
    u32 block_size : 24;
    u32 area_len;
    u32 w_offset;
    u16 pre_sec_a;
    u16 pre_sec_b;
    u16 id;
    u16 offset;
} NEW_VM_OBJ;

NEW_VM_OBJ 定义

NEW_VM_OBJ 是 VM 运行时对象，字段含义：

该对象作为全局变量 g_nvm_obj 存在于 nvm_api.c，VM 库通过 nvm_buf_for_lib 回调取得 32 位对齐的工作缓冲 new_vm_buff[NVM_BUFF_SIZE / 4]（NVM_BUFF_SIZE = NVM_MAX_LEN(64) + BIT_MAP_SIZE(64) = 128 字节），用于位图与单次读写暂存。

位图与条目长度约束

#define BIT_MAP  (32 * 16)      // 512 bit
#define BIT_MAP_SIZE  (BIT_MAP / 8)   // 64 字节
#define NVM_MAX_LEN     64
#define NVM_BUFF_SIZE   (NVM_MAX_LEN + BIT_MAP_SIZE)   // 128 字节

常量定义

• BIT_MAP（512 bit）用于标记每个条目在当前半区中的有效/占用状态，格式整理时依据位图决定哪些数据需要拷贝到新半区；
• NVM_MAX_LEN 为单条目最大长度 64 字节。业务数据超过该长度需拆分或改用连续 id 区间（可参考 VM_INDEX_BUFF 中 68 字节数组的用法，但注意那是旧版 VM 的常量）；
• 工作缓冲同时容纳"最长条目 + 位图"，保证一次读写不需要额外的动态内存。

初始化流程

u32 nvm_init_api(u32 addr, u32 size)
{
    memset(&g_nvm_obj, 0, sizeof(NEW_VM_OBJ));
    g_nvm_obj.device = dev_open(__SFC_NANE, 0);
    if (NULL == g_nvm_obj.device) {
        log_error("nvm init E_NVM_OPEN_DEVICE\n");
        return E_NVM_OPEN_DEVICE;
    }
#if NVM_CACHE_ENABLE
    g_nvm_obj.cache = nvm_cache_init_api();
#endif
    return nvm_init(&g_nvm_obj, addr, size);
}

初始化代码

初始化分三步：清零运行时对象 → 打开 SFC 设备（失败返回 E_NVM_OPEN_DEVICE）→ 初始化 RAM 缓存 → 调用库的 nvm_init 扫描保留区、重建位图与写游标。addr/size 即保留区在 Flash 中的位置与大小，通常由板级配置文件（config.h / app_config.h 中的 SYS_MEMORY_SELECT 配套宏）决定；本 SDK 中确切地址常量在板级配置中定义，未在本页源码范围内展开。

RAM 缓存机制

#define NVM_CACHE_ENABLE    1
#define NVM_CACHE_NUMBER    6

NVM_ENTRY g_nvm_entry[NVM_CACHE_NUMBER];
NVM_CACHE g_nvm_cache;

NVM_CACHE *nvm_cache_init_api(void)
{
    memset(&g_nvm_entry[0], 0, sizeof(g_nvm_entry));
    memset(&g_nvm_cache, 0, sizeof(g_nvm_cache));
    g_nvm_cache.entries = &g_nvm_entry[0];
    g_nvm_cache.number_entry = NVM_CACHE_NUMBER;
    return &g_nvm_cache;
}

缓存初始化

缓存采用全静态分配（g_nvm_entry[6]），无动态内存开销，符合 MCU 场景。nvm_write_cache / nvm_read_cache / nvm_clear_cache（见 new_vm.h）由库内部调用：写入时登记条目偏移，读取时先查缓存命中（nvm_read_cache 返回 offset），减少 Flash 扫描。当缓存表满时按 rw_cnt 淘汰最久未用的条目。

预擦除（Pre-Erase）与格式整理（Format/Defrag）

新版 VM 的格式整理采用双半区轮流使用策略：数据在一个半区内顺序滚动写入；当该半区写满时，调用 nvm_format_another 把位图标记的有效数据拷贝到另一半区并重建索引，随后旧半区整体擦除，成为新的空闲半区。这一设计保证任意时刻至少有一个半区保存着完整数据，掉电不丢。

void nvm_erasure_next_api(void)
{
    nvm_pre_erasure_next(&g_nvm_obj, 1, 1);
}

预擦除入口

nvm_erasure_next_api 封装库接口 nvm_pre_erasure_next(p_nvm, using_next, idle_next)：参数 1, 1 表示"接下来将要使用的 1 个区域"和"另一个半区中低 1 个区域"都执行预擦除。其设计意图（源码注释原文）：该函数在系统空闲时由主循环调用，把耗时的 Flash 擦除提前完成，已经擦过的区域不会被重复擦除。这样在音乐播放等实时场景中，写入路径只做"编程"而不做"擦除"，避免卡音。

格式整理后的擦除时机由配置开关控制：

const bool config_vm_erasure_after_format_en = 1;

配置开关定义

源码注释给出了两种典型场景的权衡：

• 不开启（=0）：格式整理后立即擦除旧半区。代价是若系统在音乐播放中途触发整理，擦除操作会造成卡音；收益是断电后重启读到的一定是最新数据；
• 开启（=1，默认）：整理后旧半区数据延迟到系统空闲时才擦除。代价是若整理后立即断电且从未进入空闲状态，重启会读到旧半区残留的旧数据；收益是擦除不再打断实时任务。

另一个配置开关 config_vm_multiple_read_en = 0 控制是否支持"单个 id 分多次读"（读写长度不一致的容错读取）。默认关闭，即读写长度必须一致。

flowchart TD
    W["vm_write 写入条目"] --> F{"当前半区空间耗尽?"}
    F -->|"否"| CONT["在当前半区顺序写入<br/>更新位图与缓存"]
    F -->|"是"| FORMAT["nvm_format_another<br/>切换到另一半区并整理有效数据"]
    FORMAT --> ERASE{"config_vm_erasure_after_format_en?"}
    ERASE -->|"1（默认）"| DEFER["旧半区延迟擦除<br/>等系统空闲（避免卡音）"]
    ERASE -->|"0"| IMM["立即擦除旧半区<br/>（断电后读到最新数据）"]
    DEFER --> IDLE["主循环调用 nvm_erasure_next_api<br/>预擦除后续区域"]
    IMM --> IDLE
    IDLE --> W

新版 VM 的应用接口

nvm_api.c 提供以下应用层接口（见 new_vm.h）：

读写封装对返回值做了归一化：库返回 0 表示成功，封装层转成 len 返回，上层（如 toy_main.c）通过 res == sizeof(vol) 判断读取成功。

旧版 VM（OLD_VM）

当 SYS_MEMORY_SELECT == USE_OLD_VM 时使用旧版 VM，接口定义在 vm.h。它采用句柄式设计：typedef u16 vm_hdl，应用先 vm_init 绑定设备与区域，再用 vm_write_phy(hdl, buf, len) / vm_read_phy(hdl, buf, len) 读写。

struct vm_table {
    u16  index;
    u16 value_byte;
    int value;      //cache value which value_byte <= 4
};

typedef enum _vm_err {
    VM_ERR_NONE = 0,
    VM_INDEX_ERR = -0x100,
    VM_INDEX_EXIST,
    VM_DATA_LEN_ERR,
    VM_READ_NO_INDEX,
    VM_READ_DATA_ERR,
    VM_WRITE_OVERFLOW,
    VM_NOT_INIT,
    VM_INIT_ALREADY,
    VM_DEFRAG_ERR,
    VM_ERR_INIT,
    VM_ERR_PROTECT
} VM_ERR;

vm_table / VM_ERR 定义

旧版 VM 的关键设计：

• 小值缓存：vm_table 为长度 ≤ 4 字节的条目提供 RAM 缓存（value 字段），减少对 Flash 的读访问；
• 错误码语义：VM_ERR 枚举完整描述失败场景——索引不存在（VM_READ_NO_INDEX）、长度错误（VM_DATA_LEN_ERR）、写溢出（VM_WRITE_OVERFLOW）、未初始化/重复初始化、整理失败（VM_DEFRAG_ERR）、保护错误（VM_ERR_PROTECT）等，便于驱动层精确上报；
• 碎片整理：vm_defrag_line_set(u8 defrag_line) 按百分比（0~100）设置触发整理的阈值；vm_get_area_using_info 返回保留区总长与已用量，供业务监控剩余空间；
• 批量接口：vm_api_write_mult(start_id, end_id, buf, len, delay) / vm_api_read_mult 支持连续 id 区间一次读写（用于歌曲索引等大块数据），delay 参数用于分散写入耗时；
• 物理层：sfc_erase / sfc_write / sfc_read / sfc_erase_zone 直接操作 SPI Flash 控制器，FLASH_ERASER 枚举（CHIP/BLOCK/SECTOR/PAGE）决定擦除粒度。

旧版 VM 不支持预擦除（vm_pre_erase_api 为空宏，见 vm_api.c），因此其写路径可能包含整块擦除，实时性弱于新版 VM——这正是 SDK 引入新版 VM 的原因。

核心读写流程

以 toy_main.c 中读取音量为例，走一次完整的新版 VM 读路径：

sequenceDiagram
    participant App as 应用（toy_main.c）
    participant VmApi as vm_api.c（vm_read）
    participant Nvm as new_vm 库（nvm_read）
    participant Cache as NVM_CACHE（g_nvm_cache）
    participant Sfc as SFC 设备（__SFC_NANE）
    participant Flash as Flash 保留区

    App->>VmApi: vm_read(VM_INDEX_VOL, &vol, sizeof(vol))
    VmApi->>Nvm: nvm_read_api → nvm_read(&g_nvm_obj, id, buf, len)
    Nvm->>Cache: nvm_read_cache 查缓存
    alt 缓存命中
        Cache-->>Nvm: 返回条目 offset
        Nvm->>Sfc: 按 offset 读取数据
    else 缓存未命中
        Nvm->>Sfc: 扫描位图/顺序查找该 id
        Sfc->>Flash: 读取条目
        Nvm->>Cache: nvm_write_cache 登记 (id, offset)
    end
    Sfc-->>Nvm: 数据
    Nvm-->>VmApi: 0（成功）
    VmApi-->>App: len（归一化返回值）

写路径与之对称：vm_write → nvm_write_api → nvm_write，库内部先更新缓存与位图，再通过 SFC 把数据编程到 w_offset 指向的位置并推进写游标；若当前半区写满则触发 nvm_format_another 整理（见上文流程图）。RTC 驱动以宏封装了这套接口：

#define rtc_save_api(p0, p1, p2)    vm_write(p0, p1, p2)
#define rtc_read_api(p0, p1, p2)    vm_read(p0, p1, p2)

RTC 读写宏

Usage Examples

示例一：读取音量参数（业务层标准读法）

u8 vol = 0;
u32 res = vm_read(VM_INDEX_VOL, &vol, sizeof(vol));
if ((vol <= 31) && (res == sizeof(vol))) {
    // 读取成功且音量值合法（0~31），应用该音量
}

来源：sdk/app/src/voice_func/toy_main.c

这段代码展示了 VM 的典型使用契约：返回值 res 等于请求长度 sizeof(vol) 表示读取成功；随后还需对数据本身做业务合法性校验（vol <= 31），因为保留区中可能残留未初始化数据。

示例二：读取音频校准值（驱动内部用法）

u32 rlen = 0;
rlen = vm_read(VM_INDEX_AUDIO_VBG_TRIM, &g_adda_high_voltage_vbg.gear, sizeof(g_adda_high_voltage_vbg.gear));
if (rlen == sizeof(g_adda_high_voltage_vbg.gear)) {
    // 校准值有效，直接使用
}

来源：sdk/app/bsp/cpu/sh58/audio_power_trim.c

驱动在启动时读取产线校准参数（VBG 档位），同样以"返回长度 == 请求长度"作为有效判据。可见 vm_read 语义在业务与驱动层保持一致。

示例三：驱动内部专用读写接口

// 驱动内部使用接口
int syscfg_write(u16 item_id, const void *buf, u16 len)
{
    return vm_write_api(item_id, (u8 *)buf, len);
}

// 驱动内部使用接口
int syscfg_read(u16 item_id, void *buf, u16 len)
{
    return vm_read_api(item_id, buf, len);
}

来源：sdk/app/bsp/common/vm/vm_api.c

syscfg_read / syscfg_write 是仅供驱动内部调用的直通接口，跳过 vm_read / vm_write 的外层包装，直接进入所选实现的 vm_*_api 宏。

示例四：新版 VM 压力自测（源码内置测试）

err = nvm_write_api(1, nvm_demo_buf, sizeof(nvm_demo_buf));
if (0 != err) {
    log_info("nvm_write_api err : 0x%x", err);
    break;
}
memset(nvm_demo_buf, 0, sizeof(nvm_demo_buf));
nvm_read_api(1, nvm_demo_buf, sizeof(nvm_demo_buf));
err = memcmp(nvm_demo_buf, nvm_test_buf, sizeof(nvm_demo_buf));
if (0 != err) {
    log_info("save buf :");
    log_info_hexdump(nvm_test_buf, sizeof(nvm_demo_buf));
    log_info("read buf :");
    log_info_hexdump(nvm_demo_buf, sizeof(nvm_demo_buf));
    break;
}

来源：sdk/app/bsp/common/vm/new_vm/nvm_api.c（#if 0 测试代码）

nvm_api.c 内置了一段 #if 0 关闭的验证代码：随机数据写 → 读回 → memcmp 比对，循环 2046 次并喂狗（wdt_clear）。它既是新库的冒烟测试，也示范了如何直接调用 nvm_write_api / nvm_read_api 进行底层验证。另一个测试函数 test_nvm_0 展示了多 id 随机长度写读，并在每次写入前调用 nvm_erasure_next_api() 模拟空闲期预擦除（nvm_api.c#L181-L240）。

Configuration Options

以下配置项均可在源码中直接找到；除 SYS_MEMORY_SELECT 在板级配置（config.h / app_config.h）中定义外，其余位于 nvm_api.c / new_vm.h。

API Reference

统一抽象层（vm_api.c）

int syscfg_vm_init(u32 mem_addr, u32 mem_size)

初始化 VM 并划定 Flash 保留区（mem_addr 起始地址、mem_size 长度）。

• Returns: 底层实现返回值；新版返回 nvm_init 结果（0 成功），未启用时返回 -1。

int vm_read(u32 id, u8 *data_buf, u16 len)

按参数 id 读取数据。

• 参数: id（VM_INDEX_* 常量）；data_buf 输出缓冲；len 期望长度。
• Returns: 成功返回实际读取长度；失败返回错误码（未启用时恒为 -1）。

int vm_write(u32 id, u8 *data_buf, u16 len)

按参数 id 写入数据。

• 参数: 同 vm_read。
• Returns: 成功返回写入长度；失败返回错误码。

void vm_pre_erase(void)

空闲时预擦除后续区域（仅新版 VM 有效；旧版为空操作）。

int syscfg_read(u16 item_id, void *buf, u16 len) / int syscfg_write(u16 item_id, const void *buf, u16 len)

驱动内部直通接口，绕过外层包装直接调用底层实现。

新版 VM（new_vm.h）

旧版 VM（vm.h）

Failure Modes, Edge Cases & Concurrency

• 断电写中断：双半区设计保证任意时刻有一个半区完整有效；整理（nvm_format_another）期间断电由位图与 bool_block 标记恢复。但若 config_vm_erasure_after_format_en = 1 且整理后从未进入空闲期就断电，重启可能读到旧半区残留数据（源码注释明确提示此场景）。
• 条目长度超限：新版 VM 单条目最大 NVM_MAX_LEN（64 字节），超长写入会返回错误；旧版 VM 对超长/溢出返回 VM_DATA_LEN_ERR / VM_WRITE_OVERFLOW。config_vm_multiple_read_en = 0 时读写长度必须一致。
• 非法/未初始化数据：vm_read 即使返回成功，数据也可能为保留区残留值，业务必须自行校验（如 toy_main.c 的 vol <= 31）。
• 设备打开失败：nvm_init_api 中 dev_open(__SFC_NANE, 0) 失败返回 E_NVM_OPEN_DEVICE，VM 不可用，调用方应检查初始化返回值。
• 并发与临界区：g_nvm_obj、g_nvm_cache、g_nvm_entry 均为全局静态对象，未发现加锁；nvm_erasure_next_api 明确设计为主循环空闲时调用，写操作不应与预擦除并发（例如中断/多任务中调用 vm_write 需自行保证互斥）。
• 写游标与空间耗尽：顺序滚动写意味着需要周期性整理；旧版 VM 提供 vm_defrag_line_set 阈值与 vm_get_area_using_info 监控，新版 VM 则在半区写满时自动整理。

Performance & Operational Notes

• 预擦除把耗时移出关键路径：新版 VM 的核心收益——Flash 擦除（毫秒级）提前到空闲期完成，写入路径仅剩编程（微秒级），避免播放音乐等实时场景卡顿。
• 磨损均衡：顺序滚动写 + 双半区轮流使用，使保留区各扇区磨损均匀，显著延长 Flash 寿命；但单条目频繁写入（如音量调节）仍会加速该 id 区域的滚动，可考虑降低写入频率。
• RAM 开销：工作缓冲 128 字节（4 字节对齐）+ 缓存表 6×8 字节，全部静态分配，无 malloc，适合 MCU 内存受限场景。
• 启动开销：nvm_init 需扫描保留区重建位图与写游标，保留区越大启动耗时越长；vm_check_all（旧版）为可选的全量校验，默认不启用。

Extension Points

• 新增参数条目：在 VM_INDEX_* 命名空间中分配新 id（参考 VM_INDEX_BUFF 中 VM_INDEX_SONG/VM_INDEX_ENG/VM_INDEX_POETRY/VM_INDEX_STORY/VM_INDEX_EXT_SONG/VM_INDEX_VOL 等已有用法，见 vm.h#L40-L48），业务层直接调 vm_read / vm_write。
• 驱动内部参数：使用 syscfg_read / syscfg_write 直通接口（RTC、音频校准等驱动即此模式）。
• 切换实现：改 SYS_MEMORY_SELECT 即可在 USE_NEW_VM / USE_OLD_VM 间切换；新版不支持预擦除时业务无需改动，因为 vm_pre_erase 在旧版下为空宏。
• 空闲挂钩：在系统主循环空闲处调用 vm_pre_erase()（新版），即可获得预擦除收益；测试代码中 nvm_erasure_next_api() 的调用方式可作为参考。

Related Links

• vm_api.c（统一抽象层）
• new_vm.h（新版 VM 结构与接口）
• nvm_api.c（新版 VM 应用封装）
• vm.h（旧版 VM 接口与错误码）
• rtc.c（VM 在 RTC 驱动中的应用）
• toy_main.c（音量参数读写示例）
• audio_power_trim.c（VBG 校准参数读取）

相关兄弟主题：Flash 底层驱动与 SFC 命令、文件系统页、电源管理页。VM 保留区的具体地址/大小常量定义于板级配置（config.h / app_config.h），不在本页源码范围内。