2. 内置系统flash写保护

本说明适用于开源SDK，主要介绍如何将内置flash的代码与资源区域设置为写保护状态，包括以下几点：

• 对于A0芯片，介绍用户如何根据flash手册添加写保护参数；

• 对于内封flash的芯片，如何使用烧写器自动获取对应flash型号的写保护参数；

• 介绍程序中如何打开与关闭内置flash写保护，介绍写保护相关接口；

支持的SDK版本

芯片	支持的SDK版本
AD14N	ad140-release_v1.4.0 开源sdk_v1.6.0 以及之后的SDK
AC104N	ac104-release_v1.4.0 开源sdk_v1.6.0 以及之后的SDK
AD15N	ad150-release_v1.4.0 开源sdk_v1.6.0 以及之后的SDK
AD17N	开源sdk_v1.7.0 以及之后的SDK
AD18N	开源sdk_v1.8.0 以及之后的SDK

本章节分为以下几个部分进行介绍说明：

1. “A0芯片如何添加写保护参数”

2. “第一点相关函数说明”

3. “内封flash芯片如何添加写保护参数（旧）”

4. “第三点相关函数说明”

5. “内封flash芯片如何添加写保护参数（新）”

6. “第五点相关函数说明”

7. “常见问题说明”

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2.1. A0芯片如何添加写保护参数

2.1.1. flash写保护工具说明

SDK的下载目录（路径：app\post_build\sh5x\voice_toy(工程)\）中存放有“flash_write_protect”文件夹，文件夹中包含以下文件：

• flash_wp_info.csv：该文件以文本形式记录各种flash的写保护参数

• csv2dir.bat：该脚本实现将上述csv文件转成小机可识别的dir_sys_info文件

图2.1 flash写保护工具

其中，flash_wp_info.csv文件中涵盖了内封flash的绝大部分型号。对于A0芯片，用户可自行根据使用的flash型号datasheet添加相应的写保护参数以及指令。

添加完成后，点击csv2dir.bat脚本，即可生成dir_sys_info文件，将该文件放在下载目录中，添加到download.bat的资源文件中下载到小机中，小机即可识别并添加写保护。

运行csv2dir.bat脚本时，需要注意是否有执行成功。

图2.2 csv2dir.bat脚本执行成功显示信息

没有执行成功时，需要关注错误信息，重新修改flash_wp_info.csv文件；下图的错误信息显示同时存在两组相同的flash写保护参数。

图2.3 csv2dir.bat脚本执行失败显示信息

2.1.2. 新增flash写保护参数与指令

如下对于A0的芯片，用户可自行根据需要使用的flash的datasheet，在flash_wp_info.csv文件中添加写保护参数以及相关指令，下文以华邦W25Q32 FLASH为例，介绍根据手册添加参数。

2.1.2.1. Flash SR1、SR2寄存器和写保护范围

在flash datasheet中，可通过查找关键字“BP1”快速找到SR1寄存器，查找关键字“LB1”快速找到SR2寄存器；

检查SR1寄存器中是否有SEC、TB、BP2、BP1、BP0位，检查SR2寄存器是否有CMP位；

图2.4 flash SR1与SR2寄存器

通过查找关键字“Density”快速搜索写保护列表，并查看flash支持的写保护范围。

图2.5 flash写保护范围

2.1.2.2. 如何添加flash写保护参数

打开flash_wp_info.csv文件并根据3.1.1中的信息填写参数，我司配置flash写保护范围从0地址开始，向后覆盖。

表格找到上一组flash数据空两至三行后，在第一行填写flash标号、flash id以及写使能（Write Enable）指令。

flash标号、ID以及写使能指令信息

第二行开始填写flash写保护参数，最大支持9组flash写保护参数。

通过保护范围的大小，设置SEC、TB、BP0、BP1、BP2（不同的flash SEC和TB标识可能是其它，如BP4、BP3）和CMP的值。

例如：当CMP = 0时，SEC TB BP2 BP1 BP0为0b01101，可保护000000h - 0fffffh范围内1MB的数据。

图2.7 flash写保护范围填写说明1

当CMP = 1时，SEC TB BP2 BP1 BP0为0b00001，可保护000000h - 3effffh范围内4032KB的数据。

图2.8 flash写保护范围填写说明2

2.1.2.3. flash读写SR1、SR2指令

Flash配置写保护时，需要读写SR1、SR2 寄存器。查找手册找到读写SR1、SR2的指令，并填入表格中。

如果datasheet上有31H命令，优先使用分开写SR1、SR2模式；

图2.9 flash 分开写SR1和SR2寄存器指令

若上述分开写SR1、SR2模式在芯片运行中添加写保护不成功，则使用01H指令连续写SR1、SR2模式；

图2.10 flash 连续写SR1和SR2寄存器指令

部分Flash不存在SR2寄存器，则无需写SR2相关指令。

图2.11 flash只读写SR1寄存器指令

2.1.3. 写保护参数下载说明

添加好写保护参数后，根据2.1的说明执行脚本生成dir_sys_info文件，并将其添加到SDK资源列表中，小机通过路径搜索找到该文件并进行解析。

图2.12 download_bat.c中将dir_sys_info添加到资源列表中

图2.13 小机识别flash写保护信息文件路径

2.1.4. 第一点相关函数说明

2.1.4.1. 函数struct flash_wp_arg *find_flash_wp_file_arg(void)

该函数实现解析dir_sys_info中的wp_flash.bin文件，逐个查找与正在运行的flash匹配的写保护参数，其中：

1． 返回值：

• 成功，返回匹配成功的写保护结构体flash_wp_arg指针；

• 失败，返回NULL；

2.2. 内封flash芯片如何添加写保护参数（旧）

上文通过表格的方式保存flash写保护参数，存在更新不及时的问题。对于杰理非A0的芯片，内封的flash型号可能会发生变动，不适合用表格形式记录。

我司烧写器可联网更新flash写保护参数，烧写器可在烧写阶段将内封flash对应的写保护参数记录在flash最尾部，由程序去查找该文件并配置写保护。

本文将介绍如何配置ini文件实现该功能；

支持旧的内封flash写保护策略的芯片：

支持写保护策略的芯片

AD14N / AC104N

AD15N

AD17N

2.2.1. 配置烧写器获取内封flash写保护参数

在SDK的下载目录（路径：app\post_build\sh5x\app_mg（或其他工程）\）中打开isd_config.ini文件，并在其中添加烧写器flash写保护配置项。

‘’’ [BURNER_PASSTHROUGH_CFG] FLASH_WRITE_PROTECT=YES; ‘’’

图3.1 isd_config.ini文件添加烧写器写保护配置项

2.2.2. 配置强制下载工具获取内封flash写保护参数

isd_config.ini文件添加了FLASH_WRITE_PROTECT=YES配置后，使用强制升级工具更新程序会报如下错误：

图3.2 强制升级工具报错

解决办法是将FLASH_WRITE_PROTECT注释掉或者配置为NO。

2.2.3. 第三点相关函数说明

2.2.3.1. 函数int norflash_set_write_protect(u8 enable_write_protect)

该函数实现开启或关闭内置flash写保护功能，其中参数：

1. Enable_write_protect

   • 1：开启写保护

   • 0：关闭写保护

2. 返回值

   • 开启写保护成功：写保护的最大地址（即flash的0~返回值这块区域保护）；

   • 关闭写保护成功/开启写保护失败：

失败问题原因分析步骤：

1.开写保护打印（在app_config.c里EEPROM区的打印打开）；

2.检查打印，如果没有任何打印直接返回0，则用户直接跳到步骤3；如果只有写保护失败打印，则跳到步骤4；如果打印相关寄存器值出来和失败打印，则跳到步骤4

3.写保护参数没有放进flash当中，用户可以按照文档逐步操作：

“A0芯片如何添加写保护参数”

“内封flash芯片如何添加写保护参数（旧）”

“内封flash芯片如何添加写保护参数（新）”

4.确认自己芯片的flash是否在csv烧写文件里；确认app.bin + 资源文件少于对应flash的最小保护区域，用户可以在下载目录里加一些无用的资源文件。

5.把flash手册和打印信息保存联系深圳办或者钉钉开源群联系我们。

详细可以看 “写保护失败解决办法”

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2.3. 内封flash芯片如何添加写保护参数（新）

部分芯片支持新的内封flash写保护策略，固件API接口没有改变，isd_config.ini、download.bat配置发生变化，具体请参考文档：OTP_CFG(VOTP)区域配置说明

支持新的内封flash写保护策略的芯片：

支持写保护策略的芯片

AD18N

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2.4. 程序中开启与关闭写保护功能

SDK中默认会在内置flash初始化的最后，配置flash写保护状态。

图4.1 SDK中添加写保护位置

2.4.1. 第五点相关函数说明

2.4.1.1. 函数int norflash_set_write_protect(u8 enable_write_protect)

该函数实现开启或关闭内置flash写保护功能，其中参数：

1. Enable_write_protect

   • 1：开启写保护

   • 0：关闭写保护

2. 返回值

   • 开启写保护成功：写保护最大地址；

   • 关闭写保护成功/开启写保护失败：0

2.4.1.2. 函数int norflash_write_protect_config(struct device *device, u32 addr, struct flash_wp_arg *p)

该函数实现配置flash写保护范围，其中参数：

1. device:设备句柄，传NULL即可；

2. addr：写保护截止范围，传代码资源区后的地址；

3. p：flash写保护参数；

4. 返回值：

   • 开启写保护成功：写保护最大地址；

   • 关闭写保护成功/开启写保护失败：0

2.4.1.3. 函数u16 norflash_read_sr1_sr2(void)

该函数实现获取内置flash的Status Register 1和Status Register 2寄存器，其返回值高8位为SR2，低8位为SR1；

2.4.1.4. 函数u32 flash_code_protect_callback(u32 offset, u32 len)

该函数实现软件上限制驱动操作内置flash（存放代码的flash）.

内置flash进行写或擦除操作前会回调该函数，判断会操作到代码与资源区域，则不进行相应操作;

可减低程序跑飞导致程序意外擦写flash的概率。其中参数：

1. offset：设备进行写或擦除操作的地址

2. len：设备进行写或擦除操作的长度

3. 返回值：

   • 开启写保护成功：写保护最大地址；

   • 关闭写保护成功/开启写保护失败：0

2.4.2. 常见问题说明

2.4.2.1. flash保护csv文件说明

用户需要了解写保护参数文件的一些相关意思：

1. 芯片flash型号

2. 芯片flash_id

3. flash的最小保护区域

csv文件简单了解

2.4.2.2. 写保护失败解决办法

写保护失败现象有三：

1. 打印直接返回0，没有写保护失败打印；

2. 打印返回0，有写保护失败（set write protect fail）；

3. 打印返回0，有相关寄存器配置和写保护失败打印（set write protect fail）；

写保护失败原因有三（一一对应上面失败现象）：

1. 写保护参数没有烧写到flash当中；”

A0芯片如何添加写保护参数”

“内封flash芯片如何添加写保护参数（旧）”

“内封flash芯片如何添加写保护参数（新）”

2. flash的最小写保护区域大于app.bin + 资源文件，涉及到了VM区域就会写保护失败；”flash保护csv文件说明”

3. 某些flash配置特殊，需要找开发人员协助；