2.21. FLASH写保护参数使说明

Overview

flash写保护参数的使用方法。

2.21.1. 配置说明

SDK默认不对flash进行区域写保护，需要用户自行打开,打开步骤如下：

1.添加 flash_write_protect.c 到工程，并且在该文件设置 FLASH_WRITE_PROTECT_EN 为 1。

添加 flash_write_protect.c 到工程后，默认华邦flash的SDK启动全部保护，用户可以添加自己flash id型号和写保护参数，推荐用户根据flash型号只打开最后一大半最安全。 下列为 flash_write_protect.c 中的flash id型号和写保护参数列表，默认华邦flash打开写保护后SDK启动全保护，用户可在该列表添加，用户使用SDK过程中应 注意：启动flash写保护之后读写flash数据不对的情况。

static const struct flash_protect flash_protect_index[] = {
//id      //写全保护参数
/******华邦W25QXX*********/
0xEF4014, 0x34,//W25Q80
0xEF4015, 0x38,//W25Q16
0xEF4016, 0x3C,//W25Q32
0xEF4017, 0x3C,//W25Q64
0xEF4018, 0x1003C,//W25Q128
0xEF4019, 0x1003C,//W25Q256
};

2.flash写保护函数使用说明

（1）写保护

函数	int norflash_write_pretect(u32 cmd);/ norflash_ioctl(NULL, IOCTL_SET_WRITE_PROTECT, cmd);
描述	写保护
参数	cmd：当传参的 cmd为0，则内部系统则对flash进*全部解除写保护。
返回值	0：成功 其他：失败

如何配置写保护参数cmd，下面举例为华邦的flash配置，其他型号flash同理：

1.在flash数据手册找到flash区域写保护的表格，如下图，注意容量大的flash会有2个表格，区别在不同的CMP位。

2.查看flash对应的寄存器位，如下图寄存器1(S0-S7)和2(S8-S15)，对应的红色框内的位是写保护相关的参数，具体功能详情flash数据手册。

3.根据实际保护区域选合适的TB、BP3、BP2、BP1、BP0的值。如在上图的32M的flash中，需对flash进行前一半（0x0-0xFFFFFF）加上写保护，则选择如下如

那么对于的TB BP3 BP2 BP1 BP0为0 1 0 0 1，CMP为1，结合flash寄存器的分布，得知寄存器1(S0-S7)和2(S8-S15)的二进制分别为：

0b00100100(0x24)、0b01000000(0x40)，则放在cmd参数32位整形数据十六进制为0x4024：寄存器1放在0-7位，寄存器2放在8-15位

注意： 在写保护参数cmd中：第16位表示要写的flash寄存器2（S8-S15）（当写保护参数有CMP=0或1时，需要使用第16位，即设置cmd参数的第16位为1；

在某些小容量flash的写保护参数没有使用CMP位，则第16位设置为0）。在上述的32M flash需要使用CMP位，则cmd的第16位为1，则cmd参数的十六进制

为：0x14024，此时通过函数norflash_write_pretect(0x14024)可以把flash的前一半（0x0-0xFFFFFF）地址加上写保护。 当然，根据上图则可知解除全保护的cmd命令为0x10000 （当cmd为0，则内部系统重置命令为0x10000，因此cmd=0也可以完成解除写保护）。

当使用CMP=0，则同理cmd=0x10064为写保护flash前一半区域，如下图。